郭栋
,
梁春军
,
林鹏
,
邓振波
,
白峰
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李勇
,
徐怡庄
,
吴瑾光
中国稀土学报
合成了一类新型的以苯甲酰水杨酸(benzoyl salicylic acid,BSA)为第一配体,邻菲罗啉(1,10-phenanthroline,phen)为第二配体的稀土配合物Eu(BSA)3phen,将导电高分子材料PVK引入到配合物中,制成了结构为ITO/PVK:RE配合物/LiF/Al的电致发光器件.通过测量电致发光和光致发光光谱,发现PVK:RE配合物混合体系存在着能量传递,并对Eu(BSA)3phen与PVK共混体系的光致发光和电致发光机制进行了分析.同时比较了几种不同PVK掺杂浓度对于器件性能的影响.
关键词:
苯甲酰水杨酸铕
,
能量传递
,
电致发光
,
稀土
程宝妹
,
邓振波
,
梁春军
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张元元
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郝金刚
,
徐登辉
,
肖静
,
王瑞芬
中国稀土学报
合成了一种新型的稀土铕配合物Eu0.5La0.5(TTA)3phen,把它作为发光材料应用于有机电致发光中.把铕配合物与高分子导电聚合物共混制得混合溶液,然后用旋涂的方法制得了发光层.实验中制备了单层、双层器件,讨论了器件的优化条件,并用能级图探讨了Eu0.5La0.5(TTA)3phen与PVK共混体系光致、电致发光的能量传递机制.优化后的双层器件,开启电压为6.5 V,在电压12.5 V,电流密度为68.48 mA*cm-2时器件达到最大亮度238.4 cd·m-2,发光效率0.35 cd·A-1.
关键词:
铕配合物
,
电致发光
,
能量传递
,
稀土
曹鸿涛
,
裴志亮
,
孙超
,
黄荣芳
,
闻立时
,
白峰
,
邓振波
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2003.03.023
研究了ZAO透明导电薄膜的微观组织结构、化学成分及其电学光学特性.结果表明,多晶ZAO薄膜呈柱状晶并具有(002)面择优取向,c轴晶格常数大于0.52000 nm;ZAO薄膜不同微区之间的成分不均匀导致了电学性能的不均匀;ZAO薄膜的电阻率和在可见光区的平均透射率分别为1.39×10-4Ω.cm和80.8%,其透射率和吸收率曲线均具有明显的波动性,该波动性影响以ZAO为阳极的有机发光二极管的发射光谱,在5.38 A/m2电流密度下二极管的发光效率大于2 cd/A.
关键词:
ZnO:Al薄膜,电学、光学性能,电致发光,有机发光二极管
徐登辉
,
邓振波
,
张志峰
,
张梦欣
,
白峰
,
王瑞芬
中国稀土学报
将稀土铽配合物[Tb(m-MBA)3phen]2*2H2O作为发光材料应用于有机电致发光. 把铽配合物掺杂在PVK中经甩膜制得发光层, 并分别用AlQ和PBD作为电子传输层制作了两类有机电致发光器件. 器件1: ITO/PVK: [Tb(m-MBA)3phen]2*2H2O/ PBD/LiF/Al; 器件2: ITO/PVK: [Tb(m-MBA)3phen]2*2H2O/AlQ/LiF/Al, 研究了两种器件的电致发光性能, 并通过选择AlQ的厚度得到了发光性能较好的用AlQ作为电子传输材料的器件, 其最大亮度在20 V时达到140 cd*m-2.
关键词:
光学
,
电致发光
,
激子
,
稀土配合物
徐颖
,
邓振波
,
徐登辉
,
肖静
,
王瑞芬
中国稀土学报
合成了一种新型的稀土铽配合物材料Tb(p-MBA)3phen,把它作为发光材料应用于有机电致发光中.把铽配合物掺杂在导电聚合物PVK中采用旋涂法制得发光层,并利用AlQ作为电子传输层制作了单层、双层有机电致发光器件:器件1(ITO/PVK):Tb(p-MBA)3phen/Al;器件2(ITO/PVK):Tb(p-MBA)3phen/AlQ/LiF/Al,得到了纯正的、明亮的Tb3+离子的绿光发射,4个特征峰分别对应着能级5D4到7Fj(j=6,5,4,3)的跃迁,而PVK的发光完全被抑制.研究了两种器件的电致发光性能,并通过选择AlQ的厚度得到了发光性能较好的器件,其最大亮度在20 V时达到152 cd·m-2.
关键词:
铽配合物
,
电致发光
,
激子
,
稀土
肖静
,
邓振波
,
徐登辉
,
徐颖
,
王瑞芬
中国稀土学报
将新型稀土配合物TbY(m-MOBA)6(phen)2·2H2O掺杂到导电聚合物PVK中改善了铽配合物的成膜特性和导电性质.用此掺杂体系制作了单层发光器件,发现掺杂浓度为1:5,甩膜转速为1000r·min-1时器件的发光效果最好,起亮电压为9 V,最大亮度在17 V时达到15.7cd·m-2.对比[Tb(m-MOBA)3phen]2·2H2O的单层器件的发光,说明Y3+的存在促进了PVK到Tb3+的能量传递.
关键词:
电致发光
,
铽配合物
,
激子
,
稀土
刘翔
,
王章涛
,
崔祥彦
,
邓振波
,
王海军
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.02.012
光刻胶灰化是薄膜晶体管四次光刻工艺的核心工艺之一.初步研究了用纯O2对光刻胶进行灰化的工艺,影响光刻胶灰化的主要因素有功率、气压和灰化气体的流量,经过一组正交实验,得到了功率、气压、灰化气体的流量对光刻胶的灰化速率和均匀度的影响趋势.结果表明,功率是影响灰化速率的主要因素.通过不断地优化光刻胶的灰化条件,最终得到了理想的灰化条件,即功率为10500W,气压为26.7 Pa,O2的流量为2000mL/min,灰化时间为91s.
关键词:
薄膜晶体管
,
四次光刻
,
光刻胶
,
灰化
周恩宇
,
邓振波
,
徐登辉
,
吕昭月
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2008.05.011
KCl作为阴极修饰层插入电子传输层和阴极之间,能提高所修饰器件的亮度.但KCl的纯度对器件的影响究竟有多大,本文进行了研究.选取纯度为99.99%、99.5%与混有一定杂质的KCl(经测试纯度为95.3%),制作ITO/NPB(40 nm)/Alq3(60 nm)/KCl(1 nm不同纯度)/Al结构的器件,并分别研究其亮度、电流密度和效率特性.发现随着KCl纯度的提高,器件的性能和电流密度有所提高.同时起亮电压降低.其中99.99%纯度的KCl所制备的器件性能最好,在16 V时最大亮度为7 585 cd/m2,在9.4 mA/cm2,时最大效率为2.4 od/A.由此可见,阴极修饰层的纯度对器件的性能有较大影响.使用高纯度阴极修饰材料,防止其被污染,是制备器件所要考虑的因素之一.
关键词:
KCI
,
纯度
,
阴极界面修饰材料
马超
,
胡煜峰
,
李剑焘
,
侯延冰
,
娄志东
,
邓振波
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142905.0692
对poly(3-hexylthiophene) (P3HT)光伏器件产生正、负向磁场效应的原因进行了研究.制作了不同活性层厚度的光伏器件,光电流的磁场效应对厚度的依赖非常明显:在活性层厚度为44 nm时,有2.8％的正效应;当活性层厚度提高为105 nm时,磁场效应变为负值(-5.2％).为了研究产生这种效应的原因,制备了1-(3-methyloxycarbonyl) propyl-1-phenyl[6,6] C61(PCBM)与P3HT共混的器件.在共混器件中,磁场效应随着PCBM比例的提升而逐渐下降直至湮灭且磁场效应不再随活性层厚度发生变化.磁场效应的产生源于磁场可以调控单线态和三线态激子的比例,进而调节单线态激子主导的激子分离作用和三线态激子主导的激子电荷分离作用.实验结果显示出在纯P3HT光伏器件中,当PCBM加入到活性层中时,大量激子在给受体界面处分离成为自由载流子,单线态和三线态激子都可以高效地通过激子分离使光电流增强,激子比例不再影响光电流大小,所以磁场效应逐渐消失且对活性层厚度失去依赖.
关键词:
磁阻效应
,
激子分离
,
激子-电荷作用
,
系间窜越
