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C/SiC复合材料的定量红外热波无损检测

邓晓东 , 成来飞 , 梅辉 , 孙磊 , 张立同 , 徐永东 , 孟志新 , 赵东林

复合材料学报

在C/SiC复合材料板上钻直径和深度不同的盲孔,模拟材料表面下的孔洞缺陷.利用红外热波检测技术对C/SiC缺陷试样盲孔缺陷的孔径和深度做定量检测,并与X射线照相及CT检测结果相比较.结果表明:红外热波检测适合C/SiC复合材料内部缺陷的检测,可同时定量检测C/SiC复合材料中缺陷的大小和深度,并能弥补X射线照相及CT检测的不足.缺陷直径测量误差随着缺陷孔径的增大而减小,随着缺陷深度的增加而增大;缺陷深度测量误差随着缺陷孔径的增大而减小,但在一定范围内随着缺陷深度的增加而减小.红外热波检测C/SiC复合材料孔洞缺陷存在定量测量的下限.

关键词: 陶瓷基复合材料 , 无损检测 , 红外热波检测 , 测量

隔离器用羰基铁系微波吸收材料的硅烷偶联剂改性

王向楠 , 彭承敏 , 徐光亮 , 李扬兴 , 邓晓东

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.04.007

用硅烷偶联剂(KH-560)对羰基铁粉表面进行改性,以环氧树脂为基体、改性前后的羰基铁粉为吸收剂制备复合微波吸收材料.采用热重、红外光谱等手段对改性后的粉体进行了表征;对试制的羰基铁粉/环氧树脂复合材料的体电阻率、击穿强度、吸收损耗进行了测试,对使用该材料的隔离器性能进行了研究.结果表明,改性羰基铁粉在树脂中分散性较好,颗粒之间的绝缘程度得到提高,改性后制备的吸收体,击穿强度达700V/mm,体电阻率为4.99×108Ω·cm,6~18GHz频率范围内吸收损耗在1.8~7.8dB/mm之间.6~18GHz边导模隔离器负载中使用该材料,器件驻波比≤1.6时,插入损耗≤1.2,隔离度≥11dB,相对带宽为100%.

关键词: 羰基铁 , 硅烷偶联剂 , 表面改性 , 吸收体 , 隔离器

陶瓷基复合材料无损检测研究进展

梅辉 , 邓晓东 , 孙磊 , 成来飞 , 张立同

材料导报

陶瓷基复合材料的各向异性和不均匀特性,以及在航空航天领域应用的紧迫性,使得采用无损检测(NDT)方法对其进行质量控制及保证是个非常重要而艰巨的任务.综述了陶瓷基复合材料无损检测的发展现状,阐释了超声波、红外热成像和工业CT技术的检测原理及其在陶瓷基复合材料无损检测的应用进展.

关键词: 陶瓷基复合材料 , 无损检测 , 超声波 , 红外热成像 , 工业 , CT

隔离器负载用微波吸收材料的性能研究

徐光亮 , 王向楠 , 彭承敏 , 李扬兴 , 邓晓东

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2010.06.003

以羰基铁粉、磷化羰基铁粉、硅烷改性羰基铁粉、铁镍合金粉为吸收剂;以环氧树脂为基体制备复合微波吸收材料.对制备的各种复合材料的体电阻率、击穿强度、磁损耗、吸收损耗进行了测试,并进行了对比分析,研究了不同频段下各因素对吸波性能的影响.结果表明,由磷化和硅烷改性羰基铁粉制备的吸收体的电阻率得到较大程度的提高,达到5.62×106Ω·cm以上,在高频段(10~18GHz)的吸收损耗为3.7~7.0dB/mm,击穿强度达700V/mm以上,电阻率的提高使吸波体具有良好的高频特性.片状铁镍合金粉和磷化羰基铁粉复合共掺制备的吸收体在低频段(2~7GHz)具有良好的磁损耗能力,吸收损耗为0.9~4.2dB/mm.

关键词: 隔离器 , 负载 , 微波吸收材料

三维针刺C/SiC密度梯度板的无损检测与评价

梅辉 , 陈曦 , 邓晓东 , 孙磊 , 成来飞 , 张立同

复合材料学报

采用红外热成像设备检测三维针刺密度梯度纤维预制体化学气相渗透法(CVI)沉积碳化硅(SiC)前后内部的密度变化,追踪材料内部缺陷的遗传性,并用X射线和工业电子计算机X射线断层扫描技术(CT)验证上述实验的可靠性.结果表明:原预制体内部的孔洞缺陷因渗入SiC基体而被填充,缺陷消失;原预制体内部无缺陷处,经过CVI致密化工艺后产生新的孔洞缺陷,说明利用红外热成像技术可以追踪材料内部孔洞缺陷的遗传性;三维针刺密度梯度纤维预制体CVI沉积SiC前后,密度梯度发生逆转变化.

关键词: 复合材料 , 无损检测 , 针刺密度梯度纤维预制体 , 红外热成像 , 缺陷遗传性

2D C/SiC复合材料氧化损伤的红外热波成像检测

陈曦 , 张立同 , 梅辉 , 成来飞 , 邓晓东 , 徐振业

复合材料学报

采用红外热波成像技术分别对二维叠层C/SiC(2D C/SiC)复合材料的无SiC涂层盲孔试样和有SiC涂层的三点弯曲强度试样的氧化损伤进行无损检测。分析了材料氧化损伤与热辐射强度信号之间的关系,以及热扩散系数与材料密度、抗弯强度之间的关系,探索了采用红外热波成像检测和评价2D C/SiC氧化损伤的可行性。检测结果表明:红外热波成像可以直观地反映2D C/SiC复合材料的氧化损伤。2D C/SiC氧化后的密度随热扩散系数的减小呈对数降低,其抗弯强度随热扩散系数的减小呈抛物线降低。由此得出,热扩散系数可以作为衡量陶瓷基复合材料的氧化损伤程度的依据,红外热波成像是一种无损检测陶瓷基复合材料氧化损伤的有效方法。

关键词: 无损检测 , 2DC/SiC , 红外热波成像 , 氧化损伤

C/SiC复合材料盲孔缺陷深度的红外热成像定量测量

徐振业 , 成来飞 , 梅辉 , 陈曦 , 邓晓东

复合材料学报

利用在三维针刺C/SiC复合材料板上设计不同直径和深度的盲孔作为试样,模拟材料表面下的孔洞缺陷。采用红外热成像技术对试样盲孔缺陷进行检测,获得盲孔缺陷信息,通过最大温差法和InT—Int陆线二阶导数最大值法两种分析方法测量盲孔的深度并分析所产生的误差。结果表明:两种方法都可以实现对盲孔缺陷深度的定量测量,但产生的测量误差存在差异;当径深比为1~4.4时,采用最大温差法的误差明显小于InT—Int曲线二阶导数最大值法,而InT—Int曲线二阶导数最大值法的测量精度虽然稍低,但该方法所适用的径深比范围较宽,并且测量误差随着盲孔径深比的增大而减小。

关键词: 红外热成像 , C/SiC复合材料 , 盲孔缺陷 , 深度

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