罗子江
,
周勋
,
贺业全
,
何浩
,
郭祥
,
张毕禅
,
邓朝勇
,
丁召
功能材料
利用分子束外延技术,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,固定Ga源温度、改变In源温度在GaAs（001）基片上外延生长了不同In组分（39%、29%、19%）的InGaAs薄膜。比较RHEED强度振荡以及RHEED衍射图像,发现随着In组分的增加In-GaAs的生长将很快进入三维粗糙表面生长模式,并指出In0.19Ga0.81As和In0.29Ga0.71As薄膜处于（2×3）表面重构相。In0.19Ga0.81As样品进行退火处理后完成STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的In-GaAs薄膜。
关键词:
MBE
,
RHEED
,
STM
,
InGaAs薄膜
罗子江
,
周勋
,
杨再荣
,
贺业全
,
何浩
,
邓朝勇
,
丁召
功能材料
利用分子束外延技术,在GaAs(001)基片上外延InGaAs/GaAs异质薄膜,通过RHEED图像演变实时监控薄膜生长状况,采用RHEED强度振荡测量薄膜生长速率,确定薄膜中In/Ga的组分比,并提出控制InGaAs薄膜中In/Ga组分比的生长方法.根据RHEED图像,指出获得的InGaAs薄膜处于(2×3)表面重构相.样品经过淬火至室温后对样品做STM扫描分析,证实样品为表面原子级平整的InGaAs/GaAs异质薄膜.
关键词:
MBE
,
RHEED
,
STM
,
InGaAs异质薄膜
罗子江
,
周勋
,
杨再荣
,
贺业全
,
何浩
,
邓朝勇
,
丁召
功能材料
采用分子束外延技术,利用RHEED图像可研究GaAs表面重构方式和生长机制.报道了一种新型的分子束外延方法,在RHEED实时监控下,利用GaAs(001)基片同质外延GaAs.通过改变生长和退火的时间与温度(420、500、580℃),结合RHEED图像演变与GaAs表面平整度(粗糙化)的联系,得到表面原子级平整的GaAs样品.完成生长后对样品做EDS分析,确定样品为高纯度GaAs.利用这种方法,得到厚度约为4μm砷化镓晶体.
关键词:
MBE
,
RHEED图像
,
粗糙化
,
EDS
,
GaAs表面重构
周章渝
,
杨发顺
,
杨健
,
王松
,
邓朝勇
,
傅兴华
材料导报
超导薄膜实现布图布线工艺是制备超导电子元件的必要步骤.报道了两种二硼化镁超导薄膜布图布线的湿法刻蚀技术:一种是先利用双氧水( H2O2)刻蚀前驱体硼薄膜,然后将刻蚀的样品放入钽坩埚中在镁蒸气下高温退火,实现了对超导薄膜二硼化镁(MgB2)布图布线的刻蚀；另一种是选用氢氟酸(HF)和硝酸(HNO3)的混合溶液直接在二硼化镁超导薄膜上进行图形刻蚀.通过上述两种方法刻蚀出的MgB2薄膜图形精确度高,超导转变温度Tc都在38K以上,临界电流Ic约为1×106 A/cm2.
关键词:
MgB2超导薄膜
,
布图布线
,
湿法刻蚀
马亚林
,
石健
,
李绪诚
,
杨利忠
,
邓朝勇
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.23.010
采用直流磁控溅射法在不同衬底温度下(27、150、300、450和750℃)制备 Ta2 O5薄膜。利用X射线衍射、扫描电子显微镜(SEM)和紫外-可见光分光光度计对薄膜的结构、表面形貌和光学性质进行分析研究。实验结果表明,当衬底温度为450℃时,薄膜开始结晶。低于450℃,薄膜为无定形态,光学透过率随着衬底温度的升高而升高,在可见光区域最大透过率为85％。薄膜结晶生成晶粒,会对通过的光束产生散射,降低透过率,光学性能下降。这些结果说明衬底温度和薄膜材料的结构、结晶转变温度及光学性质密切相关。
关键词:
磁控溅射
,
Ta2O5
,
光学薄膜
,
结晶
,
透过率
付尧
,
张松
,
吴燕平
,
邓朝勇
材料导报
元素掺杂可以提升MgB2在磁场中的性能,解决其超导性能在磁场环境下的退化问题,对MgB2超导材料的应用具有重大意义.介绍了元素掺杂MgB2的目的及作用机理,从薄膜、块材、线带材3个方面具体综述了纳米SiC和有机物掺杂MgB2超导体的研究进展,系统总结了烧结温度及有机物掺杂量对MgB2超导体的性能影响,深入分析了有机物掺杂改善MgB2超导性能的微观原因.
关键词:
MgB2
,
临界电流密度
,
上临界场
,
SiC掺杂
,
有机物掺杂
