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硅表面自组织量子点形成机制的第一原理研究

邓胜华 , 金慧 , 李红

稀有金属材料与工程

用第一原理法对Ge/Si (113)表面的重构、表面能和表面应力及其随Ge沉积层数的变化情况进行了计算,分析了Ge/Si (001)自组织量子点DOME形成机制和稳定性.发现构成DOME的Ge/Si(113)表面在压应变条件下是能量非常低的稳定表面.Ge原子在Si(001)表面上自组织生长量子点时,首先形成HUT岛;当生长到相当于约4个(001)层厚时,Ge/Si (113)表面表现为(2×2)-TPI&R重构,并开始形成稳定的DOME岛.

关键词: Ge/Si自组织量子点 , Si(113)表面重构 , 第一原理计算 , 表面能 , 表面应力

用第一原理研究钛/硅对铝晶界电子结构的影响

邓胜华 , 李平 , 李红

硅酸盐通报

在局域密度泛函理论的基础上,采用第一性原理的平面波赝势方法,计算了纯铝晶界及掺杂钛和硅后的弛豫原子结构,分析和研究了钛、硅杂质偏析对铝晶界的影响.结果表明:杂质钛的偏析使晶界略有膨胀,晶界处的电子密度明显增加,硅的偏析使晶界收缩,晶界处电荷密度明显增加.但两种掺杂元素的偏析均形成了较强的具有共价-金属混合性质的化学键,局域的强化学键会抑制或削弱材料的位错形成和延展特性,从而按照"bond mobility model"机制阻止了应力作用下的原子重组.

关键词: Al晶界 , 掺杂 , 第一原理

谱学分析方法在纳米材料研究中的应用

李红 , 郭林 , 邓胜华

稀有金属材料与工程

综述了几种常见的谱学分析方法在纳米材料研究中应用的最新进展,结合典型实例,对各种谱学技术的原理、方法以及在纳米体系研究中所能提供的各种信息进行了归纳和分析,并对谱学分析方法在纳米材料研究中进一步应用的前景进行了展望.

关键词: 谱学分析 , 纳米材料 , 应用

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