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退火温度对Mo薄膜微观结构及形貌的影响

曹德峰 , 邢丕峰 , 韦建军 , 易泰民 , 杨蒙生 , 郑凤成 , 李朝阳 , 谢军

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2011.06.025

采用直流磁控溅射技术,制备了厚度为3.8μm的Mo薄膜,并对其在不同温度下进行了退火处理.采用白光干涉仪和SEM对Mo薄膜进行了表征,讨论了不同温度对薄膜表面形貌的影响;利用XRD对M薄膜的结构进行了分析.结果表明:随着退火温度由450℃升高到1 050℃,晶粒平均尺寸逐渐增大,微曲应力呈减小趋势;在温度高于900℃时,薄膜发生再结晶,同时表面有微裂缝及大量气孔出现;薄膜的表面粗糙度随退火温度的升高有逐步增大的趋势.

关键词: Mo薄膜 , 微观应力 , 退火温度

纯钛微台阶精密连接技术

杨蒙生 , 邢丕峰 , 赵利平 , 李朝阳 , 高莎莎 , 郑凤成 , 易泰民 , 马小军

稀有金属材料与工程

纯Ti微台阶为ICF研究中重要的基础靶型,由于物理实验的高度精密性,传统加工方法不能满足靶制备需求.研究了纯Ti微台阶的精密扩散焊接技术,获得高质量的标准台阶,其表面粗糙度Rq<100 nm、厚度一致性<100 nm、界面连续无显微缺陷、晶体结构均匀,未检测出杂质.

关键词: , 微台阶 , 精密连接

真空热压技术制备EOS实验用LiH薄膜

谢军 , 邢丕峰 , 易泰民 , 赵利平 , 李朝阳 , 杨蒙生 , 郑凤成 , 张林

稀有金属材料与工程

氢化锂(LiH)是重要的热核材料,其状态方程参数是惯性约束聚变研究的重要内容.本工作采用真空热压技术制备氢化锂薄膜,在真空度小于5.0×10-4 Pa,温度450℃,升温速率10 ℃/min,采取分段加压、退火,获得了厚度小于100 μm、厚度一致性约98%的氢化锂薄膜,表面粗糙度小于100 nm,热压后密度增加,达到0.780 g/cm3.X射线衍射分析结果表明:薄膜的主要成分为氢化锂,薄膜存在择优取向、内应力、晶粒细化等特征.

关键词: 氢化锂 , 薄膜 , 热压 , 状态方程

工作气压对直流磁控溅射Mo薄膜的影响

曹德峰 , 万小波 , 邢丕峰 , 易泰民 , 杨蒙生 , 郑凤成 , 徐导进 , 王昆黍 , 楼建设

表面技术

利用直流磁控溅射技术在单晶Si(110)基底上制备Mo薄膜,分析了工作气压对沉积速率、表面质量及微观结构的影响.结果表明:薄膜的沉积速率随压强的增大而增加;低气压下沉积的Mo薄膜表面质量较好且结构致密,高气压下沉积的Mo薄膜表面质量较差且结构疏松;在工作气压为0.8Pa时,制备的Mo薄膜晶粒尺寸与微观应力值最小.

关键词: Mo薄膜 , 直流磁控溅射 , 工作气压 , 晶粒尺寸 , 微观应力

金属钨箔膜的制备研究进展

宋萍 , 邢丕峰 , 谌家军 , 李朝阳 , 谢军 , 易泰民 , 林华平

稀有金属材料与工程

具有体密度的高表面质量金属钨薄膜对材料高压状态方程研究具有十分重要的意义.综述了钨箔膜制备的几种方法,包括化学气相沉积、物理气相沉积、机械轧制、机械研磨抛光、化学抛光和电解抛光.综合比较后认为,采用电解抛光法可以基本满足状态方程靶用钨箔膜的需要.电解抛光可以制备表面质量比较高,厚度最小可达几微米的金属箔材,密度与原料相同,而且不会产生内应力、表面硬化、表面沾污问题,是制备低表面粗糙度、具有块材组织结构和密度材料的一种重要手段.

关键词: 钨箔膜 , 制备技术 , 表面粗糙度 , 电解抛光

脉冲激光能量密度对Mo薄膜生长的影响

雷洁红 , 邢丕峰 , 唐永建 , 吴卫东 , 王锋

稀有金属材料与工程

用脉冲激光沉积(PLD)法在Si(100)基片上制备金属Mo薄膜,研究薄膜结晶性能与能量密度之间的关系,探讨薄膜生长机制和粒子能量在薄膜生长中的作用.原子力显微镜(AFM)图像显示,薄膜表面平整、光滑,均方根粗糙度小于2 nm.X射线衍射(XRD)分析表明,随着能量密度的增加,Mo薄膜衍射峰宽变窄,薄膜从非晶态逐步变为多晶态,晶粒尺寸逐步变大.

关键词: 脉冲激光沉积(PLD) , Mo薄膜 , 能量密度 , 表面粗糙度 , 晶粒尺寸

硫酸甲醇体系中电解抛光钽的实验研究

张运娟 , 邢丕峰 , 韦建军 , 李朝阳 , 张淑洋

稀有金属材料与工程

采用硫酸甲醇体系对钽进行电解抛光,并对其抛光性能进行了研究,测定了不同配比时电解液中钽的阳极极化曲线,研究了电解液配比和电压对钽表面质量的影响.在搅拌速率为16 m/s、电解液温度为0℃、时间为3 min、硫酸甲醇体积比为1:7时,电压在20 V左右抛光效果较好、钽表面均方根粗糙度Rq小于30 nm,不仅能够满足钽材表面精饰加工需求,而且能够满足EOS靶用标准材料薄膜对表面质量要求.

关键词: , 电解抛光 , 表面粗糙度

波长小于10nm的软X射线多层膜制备技术

雷洁红 , 邢丕峰 , 唐永建 , 吴卫东

材料导报

软X射线短波段区域(1~10nm)高反射率多层膜的制备对软X射线光学的研究具有十分重要的意义.该波段要求镀膜过程中能减小界面扩散,实现膜厚控制,从而严格限制了制备技术的应用.介绍了软X射线短波段多层膜的发展现状和制备技术,主要包括蒸发沉积、溅射沉积、脉冲激光沉积技术和激光分子束外延,对这些方法进行了比较并提出了今后的研究方向.

关键词: 软X射线多层膜 , 表面粗糙度 , 制备技术

氢化锂薄膜的应用研究

雷洁红 , 段浩 , 邢丕峰 , 唐永建

材料开发与应用 doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2010.05.025

阐述了氢化锂薄膜在惯性约束聚变中的应用背景,介绍了多层膜间隔层和惯性约束聚变中靶丸燃料的研究现状及存在的问题,展望了利用脉冲激光沉积技术制备氢化锂薄膜用作多层膜间隔层和靶丸燃料的发展方向.

关键词: 氢化物锂薄膜 , 脉冲激光沉积技术(PLD) , 多层膜间隔层 , 惯性约束聚变(ICF)

硫酸-甲醇体系钨电解抛光的可行性研究

宋萍 , 邢丕峰 , 谌家军 , 李朝阳 , 谢军

电镀与涂饰

以硫酸-甲醇酸性体系作为电解液,对钨箔进行电解抛光研究.抛光后钨的表面均方根粗糙度和反射率的测试结果表明,该体系完全适用于金属钨的电化学抛光,对钨的阳极溶解行为进行了分析,讨论了溶液组成、槽电压、温度和搅拌速率对电抛光后钨表面粗糙度的影响.初步确定了金属钨电解抛光的工艺参数为:硫酸与甲醇的体积比1:7,槽电压15~22V,温度15~25℃,搅拌速率10m/s.

关键词: , 电解抛光 , 表面粗糙度 , 反射率

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