王志远
,
潘礼庆
,
邱红梅
,
赵雪丹
,
徐美
,
秦良强
,
刘清波
,
顾有松
,
张跃
,
肖强
材料导报
采用创新的、特殊的实验方法,实现在液相化学反应中精确控制磁性纳米颗粒的生长过程:将物理与化学方法相结合,在传统的液相化学反应的基础上引入物理作用,达到对磁性纳米颗粒生长大小的控制.对其形状和大小进行了透射电镜分析,确认Co纳米粒子为球形,平均粒径为14nm.并对其磁特性进行了初步测试分析.
关键词:
钴纳米粒子
,
化学液相法
,
粒径控制
李鹏飞
,
李岩
,
王凤平
,
胡建玲
,
李泉水
,
徐美
,
邱红梅
,
潘礼庆
材料导报
利用低温水热方法成功合成了一种蠕虫状多孔形SnO2纳米管.分别利用X射线衍射、扫描电子显微术和光致发光等方法研究了其结构、成分和光致发光性能.X射线衍射结果表明合成的SnO2纳米管为金红石型单相结构,扫描电子显微图像清晰显示生长的SnO2纳米管长度为2～10μm,直径约为300nm,壁厚约为20nm,壁上生长SnO2纳米颗粒结构.实验观察到样品在可见光范围内有一宽带光致发光谱,归因于氧空位和缺陷引起的发光.
关键词:
SnO2纳米管
,
水热方法
,
多孔结构
,
光致发光
栗峰
,
刘丽华
,
邱红梅
,
曹国辉
,
李阳
材料导报
采用电弧炉熔炼、球磨结合放电等离子烧结(SPS)的方法合成了系列第Ⅰ类笼状化合物Ba8 Si30 Ga16,研究了样品的晶体结构和热电性能随SPS烧结温度的变化规律.研究结果表明,随着SPS烧结温度由800℃升高到1000℃,Ba8 Si30 Ga16样品的晶格常数由10.5435(4)A减小到10.5274(2)A,Ba8 Si30 Ga16笼上Ga含量的降低可能是导致晶格常数减小的主要原因.样品的Seebeck系数、电导率、热导率、热电优值ZT均受SPS烧结温度的影响.其中,800℃SPS烧结样品的ZT值最大,这与其较低的热导率有关.
关键词:
第Ⅰ类笼状化合物
,
晶格常数
,
热电性能
赵凡
,
张亚萍
,
潘礼庆
,
邱红梅
,
赵雪丹
,
材料导报
采用射频磁控溅射制备Mn掺杂CuO薄膜样品.X射线衍射结果说明薄膜样品为单相结构且沿(111)取向生长.通过样品的XRD精修得到样品的结构和晶格参数,掺杂后薄膜晶体结构有微小畸变.薄膜的高分辨透射电镜研究证明了对结构和晶粒大小等的精修结果,且同时说明Mn以替代Cu的形式掺入了CuO晶格中.通过对样品M-T曲线的分析,得到样品的居里温度为96.5K,近邻Mn离子之间的耦合为铁磁性,并由居里外斯拟合得到Mn离子的有效磁矩为3.1μB.这说明磁性不是来自于团聚的Mn原子或铜锰的其它氧化物,而很可能来自于替位的锰离子所形成的Mn-O-Cu-O-Mn之间的铁磁性耦合.
关键词:
氧化铜
,
稀磁半导体
,
铁磁性机理
,
掺杂
陈辰
,
邱红梅
,
潘礼庆
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.10.007
利用固相反应法制备了Al掺杂的Sr14 (Cu1-x Alx)24 O41(x=0,0.01,0.02,0.03)系列多晶样品.X射线衍射结果表明所有样品均为单相,Al掺杂使样品晶格常数a、b发生涨落,但使晶格常数c1adder逐渐减小.X射线光电子能谱结果表明Al掺杂对体系内Sr、Cu、O离子价态不存在影响,并且Al离子以+3价的形式替代了Sr14 Cu24 O41体系内的Cu2+,不存在其他混合价态.电阻率测量结果表明所有样品均呈半导体性,Al掺杂使体系电阻率升高.进一步分析表明所有样品存在一渡越温度Tρ,Al掺杂使Tρ发生微弱涨落.在Tρ以上,自旋梯子中单个空穴热激活对体系电导存在贡献.在Tρ以下,自旋梯子中空穴的变程跳跃电导对体系电导存在贡献.实验数据拟合结果表明Al掺杂使体系内单个空穴热激活能△以及局域态势垒参数T0逐渐增大.
关键词:
强关联电子系统
,
自旋梯子化合物
,
掺杂
,
电输运
