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金刚石纳米粉促进的CVD金刚石薄膜的生长行为研究

邵乐喜 , 刘小平 , 谢二庆 , 贺德衍 , 陈光华

无机材料学报

采用由普通炸药爆轰制备的金刚石纳米粉对光滑硅衬底进行了涂覆预处理，研究了金刚石薄膜经徐覆和研磨预处理的两种衬底上的生长行为及其演化过程．结果表明，纳米粉处理能在显著提高成核密度的同时，大大缩短长成连续膜所用的时间；薄膜的生长由前后相继的两个阶段所构成，即确定晶面形成前球状颗粒的成长与融合和晶面的逐渐显露与晶粒长大过程．经足够长的生长时间后，所得薄膜具有结构致密、晶面清晰、晶形完整和表面平整度高的特征，特别适合于高致密性自支持薄膜的生长．而研磨处理衬底上生长的薄膜一旦成核，便有确定晶面的显露，但却出现明显的二次成核和孪晶，所得薄膜的致密性与表面平整度均不及徐覆处理的好．文中还对结果进行了简要讨论．

关键词: 金刚石纳米粉 , CVD diamond thin films , growth behavior

二步热氧化法制备SnO2薄膜的特性

李栋宇 , 刘贵昂 , 潘喜诚 , 邵乐喜

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.04.011

氧化温度有很大的联系.通过UV-VIS透过光谱得知随着氧化温度的升高,SnO2薄膜的光透过率也升高,光学禁带宽度也随着氧化温度的升高而升高.这种制备SnO2薄膜的工艺具有适于大面积制造,低成本,过程容易控制等很多优点.

关键词: SnO2薄膜 , 热氧化法 , 蒸发

纳米粉预处理的CVD金刚石薄膜成核与生长研究

邵乐喜 , 谢二庆 , 贺德衍 , 陈光华 , 徐康

无机材料学报

研究了纳米金刚石粉预处理的光滑硅衬底上CVD金刚石薄膜的成核与生长．通过与研磨处理样品相比较，纳米金刚石的预处理极大地提高了成核密度（可达10⁹／cm²）、成核速度与成膜质量，并能方便地进行成核密度的控制，是一种经济实用、简单有效的预处理方法．

关键词: CVD金刚石 , null , null , null

热退火对射频反应溅射氮化铝薄膜场电子发射的影响

邵乐喜 , 刘小平 , 谢二庆 , 贺德衍 , 陈光华

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2001.05.041

以氮气为反应气体,用射频反应溅射方法制备了AlN薄膜,结合XPS和XRD表征考察了热退火后处理对样品场电子发射性能的影响.实验表明,热退火是改善样品场发射稳定性的有效途径,样品经700C退火后,发射电流的涨落从未退火前的135μA下降到20μA;并且发射的开启电压、发射电流的涨落和滞后等对退火温度表现出强烈的依赖性.文中认为,退火处理造成了薄膜结构的变化,引起表面电子亲和势特性以及电导特性的改变,进而影响了其发射特性.

关键词: AlN薄膜 , 场电子发射 , 热退火 , 滞后

金刚石纳米粉促进的CVD金刚石薄膜的生长行为研究

邵乐喜 , 刘小平 , 谢二庆 , 贺德衍 , 陈光华

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.01.019

采用由普通炸药爆轰制备的金刚石纳米粉对光滑硅衬底进行了涂覆预处理,研究了金刚石薄膜经涂覆和研磨预处理的两种衬底上的生长行为及其演化过程.结果表明,纳米粉处理能在显著提高成核密度的同时,大大缩短长成连续膜所用的时间;薄膜的生长由前后相继的两个阶段所构成,即确定晶面形成前球状颗粒的成长与融合和晶面的逐渐显露与晶粒长大过程.经足够长的生长时间后,所得薄膜具有结构致密、晶面清晰、晶形完整和表面平整度高的特征,特别适合于高致密性自支持薄膜的生长.而研磨处理衬底上生长的薄膜一旦成核,便有确定晶面的显露,但却出现明显的二次成核和孪晶,所得薄膜的致密性与表面平整度均不及涂覆处理的好.文中还对结果进行了简要讨论.

关键词: 金刚石纳米粉 , CVD金刚石薄膜 , 生长行为

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