陈佳林
,
黎明
,
王诗尧
,
邵剑雄
,
谈效华
,
金大志
,
向伟
,
崔莹
,
陈熙萌
稀有金属
测量了中低能质子致氘化钛和氘化锆二次电子发射系数.结果表明,20 nA/cm2束流下各二次电子发射系数与其电子能损近似成正比,比例因子∧较Sternglass理论值偏大约50％,表面吸附层影响二次电子发射系数.束流密度为7μA/cm2的100 keV质子束长时间测量时,二次电子发射系数γ和正比例因子∧在前100 s内快速下降并逐渐稳定至理论值.
关键词:
中低能质子
,
金属氘化物
,
二次电子发射系数
张宁
,
张鑫
,
闫学文
,
林崇楠
,
王广甫
,
邵剑雄
,
陈熙萌
原子核物理评论
doi:10.11804/NuclPhysRev.33.03.353
为了研究带电粒子与活体细胞的相互作用，利用能量为2,2.5,3 MeV的质子外束，在室温环境下对厚约50 nm的氮化硅支持膜上的毕赤酵母菌进行辐照，并用金硅面垒探测器测量其透射能谱，通过对能量沉积特性的分析，表明质子外束穿过毕赤酵母菌后能损随入射能的增大而减小，但能量歧离随入射能的增大而增大。
关键词:
质子外束
,
活体细胞
,
氮化硅薄膜
,
能损
