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(Mg1-xZnx)2 SiO4 (0≤x≤1)陶瓷微波介电性能研究

宋开新 , 应智花 , 邵李焕 , 郑梁 , 徐军明 , 秦会斌

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00255

采用固相反应法制备(Mg 1-x Znx)2 SiO4 (0≤x≤1)微波介质陶瓷, 研究(Mg 1-x Znx)2 SiO4 陶瓷在0≤x≤1范围内的相演变、微结构与其微波介电性能间相互关系. XRD测试结果表明:橄榄石结构的Mg2SiO4与硅矽矿结构的Zn2SiO4在晶体结构上存在很大差别, (Mg, Zn)2 SiO4在0≤x≤1范围内只能部分地实现有限固溶. 背散射电子扫描显微镜(BESEM)测试结果显示:随着x的增加, MgSiO3第二相得到抑制; 陶瓷出现液相烧结, 促进晶粒生长与玻璃相在晶界处沉积. 微波介电性能测试结果表明:由于Zn 2+离子极化能力大于Mg 2+离子, (Mg 1-x Znx)2 SiO4 (0≤x≤1)陶瓷介电常数随x值增加而增大; 0≤
x≤1范围内, Mg2SiO4陶瓷微波性能由于第二相、气孔率增加与晶粒增大而降低, Zn2SiO4陶瓷由于微结构得到改善, 陶瓷微波性能得到优化. 当x=0.6时, 得到较好的(Mg 0.4 Zn 0.6)2 SiO4 陶瓷微波性能为:εr=6.6, Qf=95650GHz,τf=-60×10-6/℃

关键词: (Mg 1-x Znx)2 SiO4 , ceramics , microwave properties

(Mg_(1-x)Zn_x)_2SiO_4(0≤x≤1)陶瓷微波介电性能研究

宋开新 , 应智花 , 邵李焕 , 郑梁 , 徐军明 , 秦会斌

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2010.00255

采用固相反应法制备(Mg_(1-x)Zn_x)_2SiO_4(0≤x≤1)微波介质陶瓷,研究(Mg_(1-x)Zn_x)_2SiO_4陶瓷在O≤x≤1范围内的相演变、微结构与其微波介电性能间相互关系.XRD测试结果表明:橄榄石结构的Mg_2SiO_4与硅矽矿结构的Zn_2SiO_4在晶体结构上存在很大差别,(Mg,Zn)_2SiO_40≤x≤1范围内只能部分地实现有限固溶.背散射电子扫描显微镜(BESEM)测试结果显示:随着x的增加,Mgsi0_3第二相得到抑制;陶瓷出现液相烧结,促进晶粒生长与玻璃相在晶界处沉积.微波介电性能测试结果表明:由于Zn~(2+)离子极化能力大于Mg~(2+)离子,(Mg_(1-x)Zn_x)_2SiO_4(0≤x≤1)陶瓷介电常数随x值增加而增大;0≤x≤1范围内,Mg_2SiO_4陶瓷微波性能由于第二相、气孔率增加与晶粒增大而降低,Zn_2SiO_4陶瓷由于微结构得到改善,陶瓷微波性能得到优化.当x=0.6时,得到较好的(Mg_(0.4)Zn_(0.6))_2SiO_4陶瓷微波性能为:ε_r=6.6,Qf=95650GHz,τ_f=-60×10~(-6)/℃.

关键词: (Mg_(1-x)Zn_x)_2SiO_4 , 陶瓷 , 微波性能

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