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HVPE生长室气流分布模拟及GaCl载气流量对GaN单晶生长的影响

张雷 , 邵永亮 , 吴拥中 , 张浩东 , 郝霄鹏 , 蒋民华

人工晶体学报

采用计算流体力学软件Fluent对HVPE反应室进行了数值模拟,研究了GaCl载气流量对HVPE反应室气流分布的影响,发现GaCl载气流量是影响GaCl和NH3在衬底上均匀分布的重要因素.采用HVPE方法在不同GaCl载气流量下生长GaN单晶,研究了GaCl载气流量对GaN单晶质量的影响,得到了与模拟一致的结果.

关键词: 模拟 , GaN , 氢化物气相外延 , 气流分布