王波
,
王玫
,
张德学
,
黄安平
,
宋雪梅
,
邹云娟
,
严辉
功能材料
采用磁控反应溅射方法,在Si(100)衬底上沉积c-BN薄膜.研究了溅射气压和沉积时间对薄膜结构的影响.结果表明.随溅射气压的升高或沉积时间的增加,都是削弱荷能粒子对衬底表面的轰击效果,并导致薄膜中c-BN相含量的减小.
关键词:
立方氮化硼
,
薄膜
,
红外光谱
邹云娟
,
宋雪梅
,
王波
,
陈光华
,
严辉
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.010
在电弧法制备的过程中添加氮气或B2O3粉末,制备了氮、硼替位式掺杂C60.硼掺杂和氮掺杂C60均显示明显的半导体导电特性,且室温电导率比未掺杂C60薄膜提高1～2个量级.用共蒸发的方法制备出了硫掺杂C60薄膜,其电导率～温度曲线中存在一个过渡区,过渡区两侧表现出明显的半导体导电特性,这与掺入C60薄膜中的硫杂质的存在状态有关.其室温电导率比掺杂前提高4个量级,光致发光也明显增强.另外还报道了用离子注入和射频等离子体辅助真空沉积的方法制备掺杂C60薄膜的初步结果.
关键词:
C60
,
掺杂
,
电导率
,
电弧法
,
离子注入
,
等离子体化学气相沉积
李英兰1
,
陈光华
,
邹云娟
,
王波
,
严辉
无机材料学报
采用化学有机沉积法，在Ｓｉ（１００）、ＫＢｒ压片及微栅衬底上分别制备了 Ｃ６０／ＰＭＭＡ重量比不同的Ｃ６０－ＰＭＭＡ复合膜．红外光谱分析表明，Ｃ６０分子已均匀地分布在Ｃ６０－ＰＭＭＡ复合膜中．利用Ｘ射线衍射（ＸＲＤ）谱和透射电子显微镜（ＴＥＭ）研究了该复合膜的结构，结果显示原来均匀分布在ＰＭＭＡ中的Ｃ６０分子经过扩散趋向于形成非晶或晶化的Ｃ６０颗粒．经过退火，以面心立方结构单晶形式存在的Ｃ６０颗粒的尺寸为３０～１００ｎｍ，且以规则的几何形体分散在ＰＭＭＡ连续相中．玻耳兹曼能量分布规律能够较好地解释，提高Ｃ６０含量或退火温度，晶化Ｃ６０颗粒尺寸增大的现象．
关键词:
纳米结构
,
C60-PMMA
李英兰
,
陈光华
,
邹云娟
,
王波
,
严辉
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.01.029
采用化学有机沉积法,在Si(100)、KBr压片及微栅衬底上分别制备了C60/PMMA重量比不同的C60-PMMA复合膜.红外光谱分析表明,C60分子已均匀地分布在C60-PMMA复合膜中.利用X射线衍射(XRD)谱和透射电子显微镜(TEM)研究了该复合膜的结构,结果显示原来均匀分布在PMMA中的C60分子经过扩散趋向于形成非晶或晶化的C60颗粒.经过退火,以面心立方结构单晶形式存在的C60颗粒的尺寸为30～100nm,且以规则的几何形体分散在PMMA连续相中.玻耳兹曼能量分布规律能够较好地解释,提高C60含量或退火温度,晶化C60颗粒尺寸增大的现象.
关键词:
纳米结构
,
C60-PMMA复合膜
