苏亚东
,
王向明
,
王华明
,
郑伟涛
功能材料
利用磁控溅射法制备了TiC/α-C∶H纳米复合涂层尺寸效应,并对涂层择优取向的影响进行了研究。通过改变涂层中的C含量来调节晶粒尺寸,发现晶粒尺寸对晶粒的择优取向有着重要影响。随着晶粒尺寸减小,TiC的择优取向从面心立方（111）向（200）转变。这种择优取向的尺寸依赖效应可以用热力学来解释。通过计算与尺寸相关的吉布斯自由能解释了尺寸效应与涂层择优取向的关系。
关键词:
TiC/α-C∶H纳米复合薄膜
,
尺寸效应
,
择优取向
李永华
,
孟繁玲
,
高忠民
,
郑伟涛
,
王煜明
稀有金属材料与工程
用磁控溅射法将NiTi薄膜沉积在纯Cu箔片上,在800℃分别固溶30 min,45 min,60min和120 min;采用X射线傅氏线形分析法计算各固溶时间的位错密度及位错分布参量.随固溶时间的增加,平均位错密度不断下降;亚晶粒尺寸D逐渐增加;平均位错分布参量基本不变.由位错密度及位错分布参量计算得到NiTi薄膜材料的显微硬度值,随固溶时间的增加,显微硬度计算值明显低于测量值.
关键词:
NiTi薄膜
,
位错密度
,
X射线傅氏线形分析
,
固溶处理
李永华
,
纪红
,
孟繁玲
,
邱利霞
,
郑伟涛
,
王煜明
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2003.03.008
将采用直流磁控溅射方法制备的NiTi薄膜沉积在热的衬底上,应用X射线散射和小角X射线散射技术研究了NiTi合金薄膜中生成的晶化粒子的界面特征和晶粒大小.结果表明:衬底加热可降低薄膜的晶化温度,衬底温度在350℃以上,溅射的NiTi薄膜已部分晶化;衬底温度在350、370℃和420℃溅射的NiTi薄膜,对应的晶化粒子的半径分别是2.40、2.59、2.81 nm;薄膜中的晶化粒子以形核长大的方式进行,结晶粒子与基底之间有清晰的界面.
关键词:
NiTi薄膜
,
晶化粒子
,
小角X射线散射
胡超权
,
王笑夷
,
陈红
,
朱嘉琦
,
韩杰才
,
郑伟涛
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2010.04.011
利用磁控溅射制备碳化锗(Ge1-xCx)薄膜,系统地研究了生长温度(Tg)对所获薄膜成分及性能的影响并揭示了它们之间的内在关系.研究发现所有Ge1-xCx薄膜样品均为非晶结构,随着Tg从60℃增加到500℃,膜中锗含量增加,而碳含量相对降低,这种成分的改变增加了膜中组成原子的平均质量,进而导致薄膜折射率从2.3增加到4.3,这种折射率大范围连续可调的特性十分有利于Ge1-xCx多层红外增透保护膜的设计和制备.此外研究还发现,随着Tg的增加,Ge1-xCx膜中Ge-H和C-H键逐渐减少,这不但显著减小了薄膜在～5.3μm和～3.4μm处的光吸收,而且显著提高了薄膜的硬度.这些结果表明,提高生长温度是调制Ge1-xCx薄膜成分、改善其光学和力学性能的有效途径.
关键词:
生长温度
,
碳化锗
,
性能
