黄丹
,
郑定山
,
肖荣军
,
蒋卫卿
,
郭进
稀有金属材料与工程
利用高频熔炼方法制备了La1+xMg2-xNi9 (x=0,0.5,1.0,1.5)系列合金,并对其进行了XRD分析和储氢容量及电化学性能测定.结果表明:随着La含量增大,合金中LaNi5和(La, Mg)Ni3相转变为LaNi3相,且Mg2Ni相出现,晶胞体积也增大,合金的储氢容量和电化学性能提高;当x=1.5时,Mg2Ni相消失,合金的储氢性能有所下降.当x=1.0时,即La2MgNi9合金具有较好的储氢容量及电化学容量.
关键词:
储氢合金
,
合金结构
,
电化学性能
,
储氢容量
菅晓玲
,
黄存可
,
郑定山
,
韦文楼
,
郭进
金属学报
采用基于密度泛函的赝势平面波方法, 对ZrMn2贮氢合金及其氢化物的电子结构进行计算, 并分析成键特性, 结果表明, 在ZrMn2合金中, Mn(2)原子之间的相互作用强于Mn原子与Zr原子之间的相互作用, Mn(2)-Mn(2)原子间存在明显的共价作用, 但在吸氢(H)后, Mn(2)-Mn(2)相互作用明显减弱. H与Zr之间在c轴方向的键合力较弱, 当H原子进入吸氢四面体后所引起的晶格膨胀导致Zr原子易于向外移动, 使得c轴的膨胀大于a轴的膨胀.
关键词:
ZrMn2储氢合金
,
hydride
,
electronic structure
黎光旭
,
郑定山
,
肖荣军
,
郭进
,
朱震刚
,
刘长松
金属学报
运用分子动力学方法, 对一系列简单熔体(包括Ag, Al, Au, Co, Cu, Mg, Ni, Pb, Pd, Pt, Rh和Si)的粘滞系数和过剩熵之间的标度关系进行了深入的研究. 计算结果证实了Rosenfeld的粘滞系数标度关系, 应用Dzugutov的方法定义了一个新的约化粘滞系数, 并根据大量的模拟数据拟合出了一个新的粘滞系数标度关系. 分析了在简单熔体中存在粘滞系数与过剩熵普适标度关系的物理本质, 同时明确论证了标度关系与Arrhenius关系之间的密切联系, 即过剩熵与温度的倒数存在正比关系.
关键词:
标度关系
,
viscosity coefficient
,
excess entropy
蒋涛
,
郑定山
人工晶体学报
利用化学气相沉积法在Si/SiO2衬底上生长出了InP纳米线,制备了基于InP纳米线的底栅场效应晶体管并研究了其电输运特性.对不同生长温度器件的阈值电压、亚阈值斜率、场效应迁移率以及载流子浓度等参数进行了计算和比较.结果表明,生长温度对InP纳米线的形貌影响较大.800℃生长温度的InP纳米线性能较好,该器件阈值电压约为-8.5V,亚阈值斜率为142.4 mV/decade,跨导为258.6 nS,开关比＞106,场效应迁移率高达177.8cm2/(V·s),载流子浓度达2.1×101s cm-3.
关键词:
化学气相沉积
,
InP纳米线
,
场效应晶体管
,
迁移率
,
阈值电压
黎光旭
,
郑定山
,
肖荣军
,
郭进
,
朱震刚
,
刘长松
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2006.12.007
运用分子动力学方法,对一系列简单熔体(包括Ag,Al,Au,Co,Cu,Mg,Ni,Pb,Pd,Pt,Rh和Si)的粘滞系数和过剩熵之间的标度关系进行了深入的研究.计算结果证实了Rosenfeld的粘滞系数标度关系,应用Dzugutov的方法定义了一个新的约化粘滞系数,并根据大量的模拟数据拟合出了一个新的粘滞系数标度关系.分析了在简单熔体中存在粘滞系数与过剩熵普适标度关系的物理本质,同时明确论证了标度关系与Arrhenius关系之间的密切联系,即过剩熵与温度的倒数存在正比关系.
关键词:
标度关系
,
粘滞系数
,
过剩熵
菅晓玲
,
黄存可
,
郑定山
,
韦文楼
,
郭进
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2006.02.003
采用基于密度泛函的赝势平面波方法,对ZrMn2贮氢合金及其氢化物的电子结构进行计算,并分析成键特性,结果表明,在ZrMn2合金中,Mn(2)原子之间的相互作用强于Mn原子与Zr原子之间的相互作用,Mn(2)Mn(2)原子间存在明显的共价作用,但在吸氢(H)后,Mn(2)-Mn(2)相互作用明显减弱.H与Zr之间在c轴方向的键合力较弱,当H原子进入吸氢四面体后所引起的晶格膨胀导致Zr原子易于向外移动,使得c轴的膨胀大于α轴的膨胀.
关键词:
ZrMn2储氢合金
,
氢化物
,
电子结构
,
成键特性
郑定山
,
邹旭明
,
蒋涛
人工晶体学报
利用化学气相沉积法在Si衬底上生长合成了InAs纳米线,制备了基于InAs纳米线场效应晶体管并研究了电输运特性.对器件的阈值电压、亚阈值斜率、跨导、场效应迁移率以及载流子浓度等参数进行了计算和讨论.结果表明,InAs纳米线器件阈值电压约为-6.0 V,亚阈值斜率为180.86 mV/decade,跨导值达0.85 μS,最大开关比达108,场效应迁移率高达436.3 cm2/(V·s),载流子浓度达6.6×1017 cm-3.
关键词:
InAs纳米线
,
场效应晶体管
,
阈值电压
,
迁移率
