王浩
,
廖常俊
,
范广涵
,
刘颂豪
,
郑树文
,
李述体
,
郭志友
,
孙慧卿
,
陈贵楚
,
陈炼辉
,
吴文光
,
李华兵
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.04.018
在MOCVD质量控制生长模式下,通过分析Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体材料在衬底表面的反应过程,建立了一个实用的生长模型.此模型是基于分子动力学、化学反应热力学理论分析之上的.针对Turbo-Disc 反应体系,分析了Turbo-Disc 的传热以及质量传送模式后, 建立了Turbo-Disc的生长模型.在此模型中建立了输入反应室的参数(IPs)和边界层的生长参数的关系.在对组分匹配的GaInP/GaAs 三组分生长体系进行分析时,发现此模型是非常有效的,理论计算的结果与实验得到的结果非常吻合.应用此模型在实际生产中可以迅速地得到匹配的多组分外延层.
关键词:
MOCVD
,
Turbo-Disc
,
生长动力学
,
GaInP
王浩
,
廖常俊
,
范广涵
,
刘颂豪
,
郑树文
,
李述体
,
郭志友
,
孙慧卿
,
陈贵楚
,
陈炼辉
,
吴文光
,
李华兵
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2004.01.021
应用双晶衍射仪对MOCVD外延生长所得到的一个GaAlInP双异质结(DH)的单晶多层结构进行测试与分析.应用双晶衍射的动力学理论模拟此样品的摇摆曲线,并结合界面的融合、晶格崎变与缺陷的散射来解释测试结果.对衍射谱的展宽提供了合理的解释,比较肯定地确定了此样品的结构与晶体质量.涉及缺陷对衍射FWHM的展宽的解释与关于缺陷的半动力学衍射理论相比,简单明了,实用于实际的生产检测.并根据分析结论对晶体质量的改进提供技术方案,改进了晶体质量.
关键词:
MOCVD
,
双晶衍射
,
GaAlInP
,
拟合
王浩
,
廖常俊
,
范广涵
,
刘颂豪
,
郑树文
,
李述体
,
郭志友
,
孙慧卿
,
陈贵楚
,
陈炼辉
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.02.012
应用原子层外延与分子层外延的理论研究了Turbo-Disk MOCVD外延生长过程,发现生长主要发生在衬底表面的台阶处,当通过控制生长参数达到优质外延时,实际上是一种亚原子外延过程,优化调整反应参数实现了优质外延.
关键词:
原子层外延
,
MOCVD
,
亚原子外延
丁少锋
,
范广涵
,
李述体
,
郑树文
,
陈琨
材料导报
InN材料是性能优良的Ⅲ-Ⅴ族氮化物半导体材料,在光电子领域有着非常重要的应用价值,由此成为最近国际国内研究的热点.就InN材料的制备方法、p型掺杂、电学特性、光学特性、器件的研究应用以及国内研究的最新进展进行了综述.
关键词:
InN
,
特性
,
应用
,
进展
郑树文
,
范广涵
,
李述体
,
周天明
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.04.023
利用传输矩阵法对不同入射介质的GaN基分布布拉格反射器(DBR)进行了反射谱的理论分析.计算表明,入射介质的折射率与低周期DBR反射率呈二次函数关系,与高周期DBR反射率近似线性关系.根据这些特点,推导出估算DBR在LED器件中的实际反射率公式.分析了从空气和Al0.4Ga0.5In0.1N入射介质下不同GaN基DBR结构的反射光谱差异.为减弱入射介质对DBR反射谱的影响以及改善材料结构的质量,设计了半混合GaN基DBR结构.分析指出,半混合DBR在材料结构生长和光谱方面比传统DBR更有优势.
关键词:
光电子学
,
布拉格反射器
,
传输矩阵法
,
GaN基
,
入射介质
郑品棋
,
范广涵
,
李述体
,
孙惠卿
,
郑树文
,
邢海英
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2007.06.013
光提取效率的提高对GaN基蓝光LED的广泛应用有重要的影响.计算了以Ni/Au基金属化方法形成的p型GaN电极的折射率,通过分析电极层中的能流传输情况在电极上设计高折射率的耦合层来减少电极层对光的吸收以及提高光的透射,耦合层通过采用圆台结构来减少光在空气/耦合层界面上的全反射以提高GaN基蓝光LED的光提取效率.应用传输矩阵法计算的结果表明,光学厚度为π/2,折射率为2.02的ITO耦合层能使450 nm的蓝光在膜系上的透射率提高到75%.
关键词:
光电子学
,
减吸收
,
能流传输分析
,
p-GaN
,
抗全反射
郑树文
,
张涛
,
张力
,
陈振世
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2016.03.027
采用第一性原理的平面波超软赝势方法,对纤锌矿Be1-xMgxO合金的电子结构和相特性进行研究.结果显示,纤锌矿Be1-xMgxO的能隙由价带顶O2p态和导带底Mg3s态共同决定.随着Mg组分的增大,Be1-xMgxO合金的能隙逐渐变小,合金离子性在增强.Be—O和Mg—O的平均键长差距大致使Be1-xMgxO合金内部产生明显的晶格振动效应,而无序相Be1-xMgxO合金的形成能比有序相要低,容易使纤锌矿Be1-xMgxO合金内部产生无序结构,因此制备纤锌矿Be1-xMgxO合金时要适当提高实验温度.
关键词:
第一性原理
,
电子结构
,
相特性
,
Be1-xMgxO
郑树文
,
范广涵
,
皮辉
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.12.020
采用第一性原理的平面波超软赝势方法,对β-Ga2O3掺Al的AlxGa2-xO3(x=0,0.5,1,1.5,2)合金进行结构优化、电子态密度和能带特性的研究。结果显示,Alx Ga2-x O3为间接宽能隙材料,能隙是由导带底Ga 4s态和价带顶 O 2p 态共同决定,其弯曲系数分别为0.452 eV(直接)和0.373 eV(间接)。当增大Al的掺杂量,Alx Ga2-x O3的体积变小,总能量升高,能隙逐渐增大,这与实验结果相一致。
关键词:
第一性原理
,
β-Ga2O3
,
Al掺杂
,
电子结构
,
能带特性
