祁英昆
,
张溪文
,
郝天亮
,
董博
,
沈鸽
,
杜丕一
,
翁文剑
,
赵高凌
,
韩高荣
材料科学与工程学报
doi:10.3969/j.issn.1673-2812.2002.04.011
本文通过热丝辅助等离子体增强化学气相沉积法(HF-PECVD)在单晶硅片和石英片衬底上分别成功生长了氮化硼薄膜材料.用X射线衍射(XRD和傅立叶变换红外光谱(FTIR)分析了薄膜样品的结构和组成,用扫描电镜(SEM)观察了薄膜样品的表面形态,用紫外一可见光分光光度计(UV)研究了薄膜样品的紫外吸收特征,并确认薄膜样品的光学能隙.此外,本文还探讨了衬底的超声预处理在薄膜材料生长中所起的作用.
关键词:
氮化硼
,
热丝辅助等离子体增强化学气相沉积
,
紫外吸收
,
衬底预处理
邱东江
,
吴惠桢
,
石成儒
,
徐晓玲
,
郝天亮
功能材料
采用扫描电镜、X射线衍射及喇曼光谱等手段研究了HFCVD过程中热丝碳化对金刚石成核特性的影响.热丝经充分碳化后能发射出更多热电子,进而从反应气体中激发出更多原子H和CH3+.使金刚石晶核的孕育期大为缩短,3min内即可在未经表面预处理的Si衬底上获得1010cm-2以上的高晶核密度.
关键词:
热丝碳化
,
金刚石
,
成核
郝天亮
,
陈钢进
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2014.22.019
Si O 2驻极体具有优异的电荷储存能力，其具有器件制作工艺可与微机械加工技术兼容、适合集成化生产等优点，一直是微器件和传感器领域研究的热点。采用电晕充电和表面电位测试等技术研究了等离子增强化学气相沉积(PECVD)和电子束蒸发两种方法制备的SiO2薄膜的驻极体特性，发现 PECVD方法制备的Si O 2薄膜的驻极体性能明显优于电子束蒸发制备的Si O 2薄膜。结合扫描探针显微镜、X射线衍射及激光拉曼光谱等技术对两种薄膜的结构分析表明，其性能差异与薄膜形貌和微观结构密切相关。PECVD方法制备的非晶SiO2薄膜由纳米级非晶颗粒组成，颗粒间存在大量无序度较高的界面，由此产生的“界面陷阱”是导致 PECVD 制备的 SiO2薄膜具有更佳电荷存储稳定性的根本原因。
关键词:
驻极体
,
SiO2 薄膜
,
微观结构
,
PECVD
,
电子束蒸发
