郭亿文
,
张心强
,
熊玉华
,
杜军
,
杨萌萌
,
赵鸿滨
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2012.03.015
采用磁控溅射技术在p-Si(100)衬底上生长了Gd2O3掺杂HfO2( GDH)高κ薄膜,制备了GDH/Si和GDH/Al2O3/Si两种堆栈层.结果表明Al2O3界面钝化使漏电流密度降低了两个数量级,并改善了回滞窗口和平带电压的偏移.高温N2退火对堆栈层电学性能影响明显:随着温度的增加,界面性能逐步改善,退火温度为900℃时,回滞窗口小于20 mV,积累区趋势平缓并且单位面积电容值增大,薄膜介电常数为20.
关键词:
Al2O3
,
Gd2O3-HfO2
,
堆栈层
,
磁控溅射
,
快速退火
