梁伟华
,
王秀丽
,
丁学成
,
褚立志
,
邓泽超
,
郭建新
,
傅广生
,
王英龙
功能材料
采用基于密度泛函理论的第一性原理的方法,对[100]方向镍间隙掺杂硅纳米线结构的稳定性和电子性质进行了计算。计算结果表明Ni原子更喜欢占据硅纳米线内部六角形间隙位置;掺杂体系费米能级附近的电子态密度来源于Ni3d态电子的贡献;同时发现不同构型的Ni掺杂硅纳米线,其带隙不同,且与未掺杂硅纳米线相比,带隙普遍减小。
关键词:
硅纳米线
,
掺杂
,
电子性质
,
第一性原理
闫会芳
,
赵庆勋
,
付跃举
,
刘卓佳
,
张婷
,
郭建新
,
任国强
,
刘保亭
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.01.015
应用磁控溅射法制备Ni-Al和Pt薄膜,溶胶-凝胶法制备P(VDF-TrFE)铁电共聚物薄膜,在SiO2/Si(001)衬底上首次构架了Pt/P( VDF-TrFE )/Ni-Al异质结电容器.X射线衍射(XRD)结果表明:Ni-Al薄膜为非晶结构,P(VDF-TrFE)薄膜具有较好的结晶质量.研究发现,在20 Hz测试频率下,Pt/P(VDF-TrFE)/Ni-Al电容器具有饱和的电滞回线,在90 V驱动电压下,剩余极化强度与矫顽场分别为7.6 μC/cm2和45.7 V.在外加电压为40 V时,薄膜的漏电流密度约为5.37×10-6A/cm2.漏电机制研究表明,Pt/P( VDF-TrFE )/Ni-Al电容器满足欧姆导电机制.铁电电容器经过109极化反转后没有发现明显的疲劳现象.
关键词:
P(VDF-TrFE)
,
铁电薄膜
,
非晶Ni-Al
,
溶胶-凝胶
任国强
,
邢金柱
,
李晓红
,
郭建新
,
代秀红
,
杨保柱
,
赵庆勋
功能材料
应用射频磁控溅射法在（001）Si衬底上制备了Cu（120nm）/Ta（5nm）/Ti-Al（5nm）/Si异质结,借助原子力显微镜（AFM）、X射线衍射（XRD）和四探针测试仪（FPP）等方法研究了Ta（5nm）/Ti-Al（5nm）集成薄膜用作Cu和Si之间阻挡层的结构和性能。研究发现,Cu/Ta/Ti-Al/Si异质结即使经受850℃高温退火后,样品的XRD图中也没有出现杂峰,表明样品各层之间没有发生明显的化学反应。相对于800℃退火的样品,850℃退火样品的表面均方根粗糙度急剧增大,同时方块电阻也增加了一个数量级,表明Ta（5nm）/Ti-Al（5nm）集成薄膜在850℃时,阻挡性能完全失效。由于Ta和Cu之间存在良好粘附性以及Ti-Al强的化学稳定性,Ta（5nm）/Ti-Al（5nm）集成薄膜在800℃以下具有良好的阻挡性能。
关键词:
Cu互连
,
阻挡层
,
Ta/Ti-Al
,
射频磁控溅射
郭庆林
,
魏丽静
,
苏红新
,
郭建新
,
张金平
,
怀素芳
,
傅广生
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.04.032
本文以He-Ne 632.8nm激光为写入光,在非同时读出条件下,实验研究了e偏振光写入Cr:KNSBN晶体两波耦合过程中信号光和泵浦光的透射光强随时间的变化,以及单束泵浦光的透射光强随时间的变化,实验结果表明,泵浦光损失的能量几乎全部转移到了信号光方向,基本不存在散射光;并以二值化图像作为物在晶体内进行了图像存储实验,其再现图像清晰,信噪比高,没有观察到扇形光的影响.
关键词:
Cr:KNSBN晶体
,
两波耦合
,
光扇效应
,
图像存储
赵庆勋
,
齐晨光
,
贾冬梅
,
付跃举
,
郭建新
,
刘保亭
人工晶体学报
采用Ni-Nb薄膜作为导电阻挡层,以La0.5 Sr0.5 CoO3 (LSCO)为底电极,构建了LSCO/Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3(PZT)/LSCO异质结电容器.使用X射线衍射仪和铁电测试仪对其进行结构表征和性能测试.实验发现:Ni-Nb薄膜为非晶结构,PZT薄膜结晶状况良好.LSCO/PZT/LSCO电容器在5V外加电压测试下,电滞回线具有良好的饱和趋势,剩余极化强度Pr为35.5 μC/cm2,矫顽电压Vc为1.42V,电容器具有良好的抗疲劳特性和保持特性.
关键词:
Ni-Nb阻挡层
,
Pb(Zr0.4,Ti0.6)O3
,
La0.5Sr0.5CoO3
朱慧娟
,
刘保亭
,
代秀红
,
郭建新
,
周阳
人工晶体学报
传统的方法很难直接在硅衬底上制备外延的氧化物铁电电容器,本实验采用生长在硅衬底上的外延SrTiO3为模板,直接生长了SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器异质结,并对其结构及性能进行了研究.X射线衍射表明所制备的SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3异质结实现了在硅衬底上的外延生长.在5V测试电压下,铁电电容器的剩余极化强度和矫顽电压分别为19.6μC/cm2和0.8V.当极化翻转次数达到1010时,铁电电容器的极化强度没有明显的衰减,表明SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3电容器具有良好的抗疲劳性能.
关键词:
硅衬底
,
外延生长
,
SrRuO3/PbZr0.5Ti0.5O3/SrRuO3异质结
梁伟华
,
赵亚军
,
王秀丽
,
郭建新
,
傅广生
,
王英龙
人工晶体学报
利用基于密度泛函理论的第一性原理,对不同直径和浓度Au掺杂Si纳米线的态密度和磁性进行了计算.结果表明:杂质Au的形成能随Si纳米线直径的增大和掺杂浓度的降低而下降,这说明直径越小的Si纳米线掺杂越困难,杂质浓度越高的Si纳米线越不稳定.其磁性是由于Au d轨道和Si p轨道的p-d耦合而产生的；改变Au的掺杂浓度可改变Si纳米线的带隙,也改变了其磁矩的大小.
关键词:
Si纳米线
,
掺杂浓度
,
磁性
,
电子结构
刘俊友
,
郭建新
,
刘杰
材料热处理学报
研究了一种新型含硼低碳高锰合金并讨论了热处理对其组织的影响。研究表明,合金铸态组织由铁素体基体（少量残留奥氏体）、M2B硼化物、M23（C,B）6以及Ti（C,N）相组成,且硼化物呈断续网状分布;高温淬火后基体并没有发生马氏体相变,基体中残留奥氏体的含量增加,硼化物因部分溶解体积分数减少,且硼化物的分布更加弥散。从热力学角度分析了热处理对合金组织的影响。
关键词:
含硼低碳高锰合金
,
热处理
,
组织
,
热力学
