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Cu掺杂β-Ga2O3电子结构和磁学性质的第一性原理研究

郭艳蕊 , 严慧羽 , 宋庆功 , 郭松青 , 陈逸飞

材料导报

采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理方法,结合广义梯度近似研究了Cu掺杂β-Ga2O3系统的磁学特性.计算结果表明,单Cu的掺杂,稳定体系倾向于自旋极化态,且Cu替代八面体的Ga(B)时系统更稳定,容易在实验上形成;Cu掺杂β-Ga2O3呈现出半金属特性,Cu的掺杂引入了2.0μB磁矩,其中局域在Cu原子上的磁矩为0.45μB,其余主要来自于Cu杂质周围的氧原子.由于电荷补偿效应,在Cu掺杂β-Ga2O3系统中引入氧空位时,体系磁矩减小到零.在2个Cu取代Ga的10种构型中,A1-B3构型的能量最低,且显示出铁磁性,磁矩为3.8μB.考虑氧空位后,A1-B3构型的反铁磁性和铁磁性能量差增大,磁矩减小到1.0μB.

关键词: 第一性原理 , Cu掺杂β-Ga2O3 , 电子结构 , 磁耦合

Ti掺杂β-Ga2O3电子结构和光学性质的第一性原理计算

郭艳蕊 , 严慧羽 , 宋庆功 , 陈逸飞 , 郭松青

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.08.032

采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算方法,研究了Ti掺杂β-Ga2 O3系统的电子结构和光学性质.计算结果表明,Ti替代八面体的Ga(2)时系统形成能最低,容易在实验上合成;Ti掺杂在导带底附近引入了浅施主能级,极大地提高了β-Ga2 O3系统的导电性.Ti掺杂时稳定体系倾向于自旋极化态,且费米面处自旋极化率接近100%.光学性质的计算结果显示,Ti掺杂β-Ga2O3是极具潜力的n型紫外透明的半导体.

关键词: 第一性原理 , Ti掺杂β-Ga2O3 , 电子结构 , 光学性质

Ni掺杂CdS电子结构和光学性质的第一性原理计算

郭艳蕊 , 严慧羽 , 宋庆功 , 陈逸飞 , 郭松青

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2016.06.031

采用基于密度泛函理论框架下的第一性原理计算方法,对纤锌矿结构CdS和CdS:Ni几何结构、能带结构、电子态密度和光学性质进行了系统的研究.计算结果表明,Ni原子掺入CdS后晶格常量均减小,晶格发生局部畸变;Ni的掺杂在费米面附近引入杂质能级,极大地提高了CdS系统的导电性.光学性质的计算结果显示,掺杂导致在可见光区域出现了强度微弱的新吸收峰.所有结果表明,Ni掺杂CdS体系是极具潜力的透明导电材料.

关键词: 第一性原理 , Ni掺杂CdS , 电子结构 , 光学性质

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