黄英龙
,
薛成山
,
庄惠照
,
张冬冬
,
王英
,
王邹平
,
郭永福
,
刘文军
功能材料
通过一种新奇的方法在硅衬底上成功地合成了掺杂镁的氮化镓纳米线,用金属镁粉末作为掺杂源,然后在900℃时于流动的氨气中进行氨化Ga2P3薄膜制备GaN纳米线.X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)和能量弥散X射线谱(EDX)的分析结果表明,采用此方法得到的GaN纳米线为六方纤锌矿结构,纳米线的直径大约在60～100nm之间,纳米线的长约十几个微米.EDX分析表明纳米线掺杂了镁.室温下以325nm波长的光激发样品表面,发现由于镬的掺杂使GaN的发光峰有较大的蓝移.最后,简单讨论了GaN纳米线的生长机制.
关键词:
磁控溅射
,
GaN纳米线
,
Mg
,
氨化
冯冬燕
,
孙怡然
,
于飞
,
李晨璐
,
李强
,
郭永福
,
白仁碧
,
马杰
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2015.03.002
石墨烯作为一种新型的碳纳米材料，具有独特的物理化学性质如高的机械强度、良好的稳定性、超大的比表面积及极强的表面化学活性等，使得石墨烯成为一种得天独厚的吸附材料。综述了石墨烯及其复合材料的制备方法，并对其在去除水中重金属离子的研究进展与吸附机理方面进行了综述，最后对石墨烯及其复合材料的后续研究方向进行了展望。
关键词:
石墨烯
,
重金属离子
,
吸附
,
机理
,
复合材料
薛成山
,
郭永福
,
石锋
,
庄惠照
,
刘文军
,
曹玉萍
,
孙海波
功能材料
利用金属元素钯作催化剂,采用磁控溅射后氨化法,成功的在Sapphire衬底上制备出GaN纳米线.X射线衍射和X射线光电子能谱研究显示合成的纳米线具有六方纤锌矿GaN结构.通过扫描电子显微镜,透射电子显微镜和高分辨透射电子显微镜观察分析得出GaN纳米线为单晶结构,其纳米线的直径约为10～60nm,长度达几十个微米.室温下以325nm波长的光激发样品表面,发现GaN带边发光峰有较弱的蓝移.最后简单讨论了GaN纳米线的生长机制.
关键词:
纳米线
,
GaN
,
磁控溅射
,
单晶
,
钯催化
王邹平
,
薛成山
,
庄惠照
,
王英
,
张冬冬
,
黄英龙
,
郭永福
功能材料
采用磁控溅射的方法在Si(111)衬底上溅射沉积Ga2O3/Cr膜,并通过氨化的方法在Si(111)衬底上成功合成了六方纤锌矿GaN纳米结构材料,研究了不同的氨化温度对合成GaN纳米材料的影响.采用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射仪(XRD)、透射电子显微镜(TEM)、高分辨透射电子显微镜(HR-TEM)、傅里叶红外吸收(FTIR)光谱来检测样品的形态,结构和成分,并且讨论了GaN纳米结构的生长机理.研究结果表明,在Cr催化合成GaN纳米结构的过程中,氨化温度对其有重要影响,最佳温度是950℃.
关键词:
Ga2O3/Cr膜
,
GaN纳米线
,
氨化温度
,
磁控溅射
曹玉萍
,
薛成山
,
石锋
,
孙海波
,
刘文军
,
郭永福
功能材料
利用磁控溅射技术在Si衬底上沉积Ga_2O_3/Co薄膜,然后在不同氨气流量下于950℃退火15min.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)、傅立叶红外吸收(FTIR)光谱、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)和光致发光谱(PL)对样品进行了分析表征.结果表明,氨气流量对GaN纳米线的生长及性能有很大影响.简单讨论了GaN纳米线的生长机理.
关键词:
GaN
,
纳米线
,
氨气流量
,
溅射
,
生长机制
