侯国付
,
郭群超
,
王岩
,
薛俊明
,
任慧志
,
宋建
,
张晓丹
,
赵颖
,
耿新华
,
李以钢
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.007
本文国内首次报道了采用高压RF-PECVD技术沉积本征微晶硅材料的结果.实验表明,增大等离子体激发功率和减小硅烷浓度都能够使薄膜材料由非晶硅逐渐向微晶硅转变,而结构上的改变使得电学特性也随之改变.通过工艺参数的优化和纯化器的使用,有效地控制了氧的掺杂,在较高的生长速度下得到了器件质量级的本征微晶硅材料.将实验得到的微晶硅作为太阳电池光吸收层,在没有ZnO背电极和没有优化窗口层材料以及p/i界面时,电池的效率达到5.22%,这进一步表明本征微晶硅材料的良好性能.
关键词:
微晶硅
,
太阳电池
,
高压
,
氧施主掺杂
柳琴
,
刘成
,
叶晓军
,
郭群超
,
李红波
,
陈鸣波
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.01.008
研究了不同的晶体硅表面钝化方法,测试分析了硅片的少数载流子寿命以及对晶体硅/非晶硅异质结(HIT)太阳电池性能的影响.发现适当时间的HF溶液处理、氢等离子体处理和表面覆盖约3nm的本征非晶硅层能有效提高硅片的少子寿命,从而提高HIT太阳电池的开路电压.对电池制备工艺综合优化后,得到了基于n型晶体硅的光电转换效率为16.75％ (Voc =0.596V,Jsc=41.605mA/cm2,FF =0.676,AM1.5,25℃)的HIT太阳电池.
关键词:
晶体硅/非晶硅异质结(HIT)
,
太阳电池
,
表面钝化
,
少子寿命
白晓宇
,
郭群超
,
柳琴
,
庞宏杰
,
张滢清
,
李红波
材料科学与工程学报
硅薄膜在太阳电池中有非常重要的应用,薄膜的晶化对硅薄膜的性质和太阳电池效率都有很大影响,研究薄膜晶化理论具有重要意义.选择刻蚀模型认为H原子会轰击薄膜生长表面,打断吸附较弱的化学键,促使形成强的Si-Si键,使薄膜发生晶化.通过Monte Carlo法对具体的生长晶化过程进行了模拟计算,发现薄膜晶相的转变发生在生长温度350K(77℃)以上,并且在低温(T＜550K)下,晶化的过程主要发生在氢稀释度90％以上.结果与实验数据在高氢稀释下基本吻合,低氢稀释下有偏差.认为低氢稀释下晶化反应所需中间产物产量少,模型中未被考虑的其他基团影响了它们的相对数量,造成模拟结果的偏差.模型对硅薄膜晶化过程的理论解释有一定的合理性.
关键词:
硅薄膜
,
晶化
,
选择刻蚀模型
