周艺
,
欧衍聪
,
郭长春
,
肖斌
,
何文红
,
黄岳文
,
金井升
材料导报
采用PECVD法,通过优化工艺参数,创新性地在多晶硅表面沉积了双层SiNx膜,并对其少子寿命、反射率及电性能进行分析.结果表明,对比传统多晶硅太阳电池生产采用的单层SiNx镀膜工艺,本工艺可有效延长多晶硅少子寿命、增强光谱吸收、降低多晶硅的表面反射率,其电性能明显提高,中短路电流提高了100mA,光电转换效率提高了1.34％.
关键词:
多晶硅太阳电池
,
PECVD
,
双层SiNx膜
李军勇
,
梁宗存
,
赵汝强
,
金井升
,
沈辉
材料导报
目前市场上85%以上的晶体硅太阳电池采用丝网印刷技术制备前、背电极.为了了解前电极的Ag-Si接触形成机理以及电流传输机制,对前电极烧结工艺以及Ag-Si接触的形成机理进行了分析,提出了4种Ag-Si界面的接触形式.根据不同的界面接触形式,指出两步隧道效应和多步隧道效应电流传输机制是最主要的电流传输方式.
关键词:
太阳电池
,
前电极
,
烧结
,
Ag-Si接触
周艺
,
肖斌
,
黄燕
,
金井升
,
郭长春
,
欧衍聪
材料导报
重点研究了多晶硅扩散氧化层对电池性能的影响,并对大规模生产多晶硅扩散工艺进行了优化研究.采用少子寿命测试仪分析了扩散前后的硅片少子寿命,发现当扩散氧化时的干氧流量控制在2800sccm,扩散后的方块电阻控制在60～70Ω/□时,扩散后硅片少子寿命最高达到了10.45μs,与扩散前的硅片少子寿命相比延长了5倍多;此时的太阳电池并联电阻和短路电流分别高达40.4Q和8522mA,光电转换效率也由16.69％(干氧流量2000sccm)提高到了16.83％.此外,主要针对扩散氧化层对片内方阻均匀性及少子寿命的影响做了解释.
关键词:
扩散
,
氧化层
,
少子寿命
,
太阳电池
,
多晶硅
