金原奭
,
金聖雄
,
崔大林
,
柳在一
,
李禹奉
,
李貞烈
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.004
为克服大尺寸显示面板中反应时间的延迟问题,采用低阻栅线是十分有益的,同样在小尺寸面板上也存在这种相互匹配的过程.然而,由于Al较高的氧化速度,铝合金和ITO材料接触性能并不太好.文章介绍了在室温ITO沉积过程中,通过增加ACX (Al-C-Ni)中Ni含量来减少ACX-ITO接触电阻.经室温ITO沉积后,接触电阻成功地减少到300 Ω,而且没有ACX引起的问题出现.
关键词:
ITO
,
Al-C-N
,
接触电阻
,
组分
金雄聖
,
金原奭
,
柳在一
,
李禹奉
,
李貞烈
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2006.05.006
成功地利用传统的等离子增强化学汽相沉积技术制备了纳米晶硅.为了提高生长初期的结晶速度,在PECVD设备和干法刻蚀设备中,利用H2/SF6等离子体对SiNx薄膜表面进行处理.在制备纳米/微米晶粒结晶硅时常用的氢气稀释条件下,沉积得到了纳米晶硅.利用XRD和TEM观察了氢化纳米晶硅(nc-Si:H)的微结构,发现实验成功得到了小于10 nm的晶体硅.为了检测结构和电学特性,测试了纳米晶硅薄膜的亮态和暗态电导率.室温下,电导率从非晶硅的10-10 S/cm增加到10-5 S/cm.
关键词:
薄膜
,
纳米晶硅
,
等离子增强化学汽相沉积
,
电导率
