高阳
,
高扬
,
肖国良
,
李国良
,
张卫东
,
金敏
,
德雪红
,
卜乐平
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.21.017
镁合金作为最轻的工程材料,显示了镁合金在工业中的重要地位.针对硼、稀土在镁合金中的应用,根据国内外的研究现状,分别从硼、稀土对镁合金的细化晶粒、净化合金和耐腐蚀性等作用,探讨了镁合金的力学性能.展望了硼与稀土对镁合金作用的研究方向和发展趋势.
关键词:
镁合金
,
硼
,
稀土
金敏
,
徐家跃
,
房永征
,
何庆波
,
周鼎
,
申慧
人工晶体学报
采用坩埚下降法生长了LED用硅掺杂<511>取向的GaAs晶体.选用带籽最槽的PBN坩埚作为生长容器,密封在石英安瓶中以防止生长过程中As蒸汽挥发.研究了掺杂工艺、固液界面形貌和生长缺陷.结果表明:孪晶化是硅掺杂GaAs晶体生长的主要问题.探讨了孪晶形成机理,优化了生长工艺,成功获得了直径2英寸高质量的硅掺杂GaAs晶体,双摇摆曲线显示所得晶体的FWHM为40 arcsec.
关键词:
GaAs
,
晶体生长
,
坩埚下降法
,
硅掺杂
,
孪晶
金敏
,
吴宪君
,
李新华
,
何庆波
,
申慧
,
徐家跃
人工晶体学报
采用高温坩埚下降法生长La2 Ti2 O7晶体,获得的晶体尺寸约为18 mm× 12 mm× 10 mm,其表面出现了一系列(004)解理面.X射线双摇摆曲线表明该晶体具有良好的结晶质量.透过光谱显示退火后的La2 Ti2 O7晶体在可见光范围内是透明的,当波长在800 nm左右时,透过率将显著下降.La2 Ti2 O7晶体的吸收边出现在500 nm波长附近.光折射指数分析表明退火La2 Ti2 O7晶体具有高的折射率.折射率色散方程确定为n2(λ) =4.61643 +0.16198/(λ2-0.01547) -0.47201λ2,利用该公式可计算出300～1680 nm范围内任意波长下的折射指数n值.
关键词:
La2 Ti2 O7
,
坩埚下降法
,
晶体生长
,
光学性能
周鼎
,
徐家跃
,
金敏
,
江国健
,
申慧
人工晶体学报
通过氨水加碳酸氢铵复合沉淀剂合成了Nd3+掺杂的氧化镥纳米晶粉体.经马弗炉900℃煅烧2h,获得了分散性好、晶粒尺寸约为40nm的高质量的Nd∶Lu2O3纳米晶粉体.采用无压流动H2气氛对所得素坯进行两步烧结致密化(T1=1720℃,T2=1620℃)获得了半透明的纳米Lu2O3陶瓷.荧光光谱表明在808nm波长激发下,纳米陶瓷发光强度明显超过微米级陶瓷.同步辐射研究表明,随着晶粒尺寸减小,纳米陶瓷中Nd原子的局域环境混乱度增大,无序度相对变大.在Nd掺杂浓度相同情况下,对同一光子能量的X射线吸收系数纳米陶瓷小于微米级陶瓷.
关键词:
Nd3+∶Lu2O3
,
纳米陶瓷
,
EXAFS
徐家跃
,
王冰心
,
金敏
,
房永征
人工晶体学报
作为第二代半导体材料,GaAs晶体自60年前被发现以来已广泛应用于激光、通讯和显示等领域,并发展出液封提拉法、水平布里奇曼法、垂直梯度凝固法等多种生长工艺.本文总结了GaAs晶体的最新研究进展,探讨了各种生长方法的特点及其应用,重点报道了GaAs晶体坩埚下降法生长的研究成果.坩埚下降法具有一炉多产、易操作、低成本等优点,已成为GaAs晶体产业化的重要途径.掺杂不仅能调节GaAs晶体的性能,还会对晶体生长产生重要影响.本文还给出了Bi、Si、Zn等掺杂GaAs晶体生长结果,探讨了它们的性能、缺陷以及在不同领域里的应用.
关键词:
坩埚下降法
,
晶体生长
,
砷化镓晶体
,
掺杂
万飞
,
金敏
钢铁
针对如何调整现场正在使用的进口5辊矫直机上辊系各矫直辊压下量,以解决合理矫直带钢的问题,结合该矫直机双偏心调整的特点,从解析角度分析了2个偏心轴转角的角度变化对上辊系压下量的影响.得出了在一定范围内调整偏心轴转角能够找到合适的压下量矫直一定规格的带钢的结论.该计算方法已经应用在实际生产过程中.
关键词:
双偏心
,
矫直
,
压下量
金敏
,
徐家跃
,
申慧
,
陆宝亮
人工晶体学报
采用化学腐蚀方法研究了坩埚下降法生长的PZNT93/ 7晶体(001)晶面的腐蚀行为.在PZNT晶体表面观察到反平行180°原生态铁电畴,在抛光样品表面观察到位错蚀坑、包裹物、机械加工划痕等缺陷形貌,并对腐蚀机理进行了探讨.化学腐蚀还揭示了微观畴的动力学变化,显示畴结构对环境变化十分敏感.
关键词:
PZNT93/7晶体
,
化学腐蚀法
,
畴结构
,
腐蚀坑
金敏
钢铁研究
分析了轧钢机主机列设备泄漏的原因,根据不同的漏油类型,通过改进设备的密封结构、采用新的密封材料及加强润滑与密封的管理、选用合适的润滑油,可达到根治润滑油泄漏的目的.
关键词:
泄漏
,
主机列设备
,
密封
钟柳明
,
王占勇
,
金敏
,
张伟荣
,
刘文庆
,
徐家跃
材料导报
介绍了以光电应用为背景的大尺寸ZnTe单晶生长技术的研究进展,综述了大尺寸ZnTe单晶不同生长技术的特点及其对单晶性能的影响,重点分析了为解决ZnTe生长过程中存在的蒸汽压过高的问题,通过控制提高Te的比例,实现低温低压生长,对比了不同生长方法的生长机理差异及其对单晶尺寸、缺陷和性能的影响,为寻求解决大尺寸单晶生长面临的问题提供了参考.
关键词:
Ⅱ-Ⅵ族化合物
,
ZnTe
,
单晶生长
王冰心
,
徐家跃
,
金敏
,
何庆波
,
房永征
人工晶体学报
使用<511>取向GaAs籽晶,在直径2英寸的pBN坩埚中生长了2.5％Bi掺杂的GaAs晶体.能量分散谱仪(EDS)和透过光谱均有Bi相关谱峰的存在,说明Bi原子已掺杂到GaAs晶体中.X射线双摇摆曲线测得半高峰宽值为42".与未掺杂GaAs晶体相比,所得晶体的禁带宽度出现红移,从1.43 eV移至近1.39 eV.扫面式电子显微镜(SEM)显示晶体中存在少量富Bi包裹物,晶体质量有待进一步改进.
关键词:
坩埚下降法
,
晶体生长
,
砷化镓晶体
,
Bi掺杂
