闵嘉华
,
桑文斌
,
刘洪涛
,
钱永彪
,
滕建勇
,
樊建荣
,
李万万
,
张斌
,
金玮
稀有金属材料与工程
对电阻率为103～6Ω·cm的In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片在Te气氛和Cd/Zn平衡蒸汽压下进行了热处理,对电阻率为108～9Ω·cm的非掺杂晶片则在In气氛和Cd/Zn平衡蒸汽压下进行了热处理.结果表明,In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片经处理后电阻率可提高3个数量级.非掺杂晶片在In气氛中热处理可很容易地改变导电类型,在热处理温度700℃,In分压6.1×10-4 Pa,退火时间达48 h后,电阻率可以提高到2.6×109Ω·cm.
关键词:
CdZnTe热处理
,
Cd/Zn平衡分压
,
In扩散
金玮
,
桑文斌
,
李万万
,
葛艳辉
,
闵嘉华
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张明龙
功能材料
表面漏电流引起的噪声会限制CdZnTe(CZT)探测器的性能,尤其对于共面栅探测器,漏电噪声的大小与器件的电极设计和表面处理工艺密切相关.本文比较了探测器表面的物理和化学钝化工艺:采用H2O2溶液和KOH-KCl溶液对CZT样品进行湿化学钝化处理,采用RFPCVD法在CZT样品表面沉积类金刚石薄膜(DLC)进行物理干法钝化.借助俄歇电子能谱(AES)和显微拉曼光谱以及ZC36微电流测试仪等手段研究了CZT表面组成与器件电学性能之间的关系.AES结果表明KOH-KCl溶液钝化可以改善CZT样品表面的化学组分比,H2O2溶液钝化可以将表面富Te层转化为高阻氧化层,钝化前后的I-V特性曲线表明两种化学钝化方法均可以有效地减小器件表面漏电流,达到满意的钝化效果.CZT样品表面物理钝化通过在样品表面沉积DLC薄膜加以实现,显微拉曼光谱表明CZT表面钝化层是高sp3含量的DLC薄膜,AES深度剖析表明DLC薄膜可以有效阻止CZT内部元素的外扩散,并且DLC薄膜内部C元素向CZT内部的扩散也是比较低的.DLC薄膜钝化后的CZT共面栅探测器表面栅距25μm的栅间电阻可以达到12GΩ,有效地降低了器件的表面漏电流.
关键词:
CdZnTe
,
核辐射探测器
,
钝化
,
类金刚石薄膜
,
漏电流
滕建勇
,
金玮
,
张奇
,
桑文斌
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.02.016
芯片尺度封装( CSP)技术是近年来发展最为迅速的微电子封装新技术.通过对 WB-SP器件中金线 (Gold Wire)所受应力的有限元模拟 ,发现金线所受应力与塑封材料的膨胀系数、焊点 大小、金线粗细、金线拱起高度等因素有关.结果表明 :由于热失配引起的金线应力最大处位于金 线根部位置 ,SEQVmax=625.202MPa,在通常情况下 ,这个部位在所承受的应力作用下产生的形变最 大 ,最有可能发生断裂 ,引起器件的失效.模拟结果与实际失效情况相一致.此外 ,发现 :当环氧 树脂塑封料热膨胀系数为 1.0× 10-/oC时 ,金线最大等效应力出现最小值 ,SEQVmax=113.723MPa,约为原来的 1/6;随着金线半径减小、焊点增大 ,金线所受应力也将减小.模拟结果对于 WB-SP封装设计具有一定的指导意义.
关键词:
芯片尺寸封装
,
失效分析
,
有限元模拟
,
环氧树脂
,
应力分析
