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Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体单晶材料发展动态

郑安生 , 钱嘉裕 , 韩庆斌 , 邓志杰

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.05.015

介绍了Ⅲ-Ⅴ族化合物单晶生长工艺包括 LEC、VCZ、VGF/VB、HB 的发展现状;欲生长大直径、高质量单晶,仍须对热传输和化学计量等问题进行深入研究.目前,全世界Ⅲ-Ⅴ族半导体单晶产量约 80t,产值约5亿美元.

关键词: Ⅲ-Ⅴ族半导体 , 单晶生长 , 位错

激光/微波光电导衰减技术研究半绝缘GaAs复合寿命的分布

屠海令 , 张峰翊 , 王永鸿 , 钱嘉裕 , 马碧春

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.06.013

采用非接触式激光/微波光电导衰减技术 (LM-PCD) 对Φ50.8 mm双面抛光的半绝缘GaAs晶片的复合寿命进行了无损伤检测, 得到了有效载流子寿命沿晶片直径的径向分布曲线. 结果表明, 复合寿命为几百纳秒, 在径向呈"M"型分布, 和半绝缘GaAs晶片中EPD的"W"型分布相反. 在考虑了位错密度和掺杂浓度对寿命的影响的基础上, 对GaAs晶片的寿命进行了讨论.

关键词: 复合寿命 , 半绝缘GaAs , 激光/微波光电导衰减

磷化镓材料市场前景

陈坚邦 , 钱嘉裕

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2000.05.014

综述世界GaP材料及LED的产销现状、市场前景.预测 2000年普通可见光LED增长率为10%,高亮度LED为30%,GaP 衬底材料增长率不低于10%.GaP单晶以LEC法Φ50～62mm为主,并朝着减少材料位错密度和降低成本方向努力.

关键词: 磷化镓 , 材料 , 器件 , 市场

TEM观察砷化镓晶片损伤层

陈坚邦 , 钱嘉裕 , 杨钧

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1998.05.016

用透射电镜、扫描电镜对GaAs材料加工工艺中的表面损伤层进行了观察和检测. 结果切片损伤层深度≤50 μm、双面研磨损伤层深度≤15 μm、机械化学抛光损伤层深度 (腐蚀前) <1.2 μm. 分析了损伤结构及其引入的因素.

关键词: 砷化镓晶片 , 损伤层 , 透射电镜(TEM) , 扫描电镜(SEM)

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