杨炬
,
桑文斌
,
钱永彪
,
史伟民
,
王林军
,
刘冬华
,
闵嘉华
,
李志峰
,
苏宇
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.1999.04.004
本文运用热力学关系估算了CdZnTe熔体平衡分压.尝试以Cd1-xZnx合金源替代Cd源控制Cd分压和Zn分压进行了Cd 0.8Zn 0.2Te晶体熔体生长,探讨了熔体分压与晶体电阻率的关系.获得的Cd 0.8Zn 0.2Te晶体的电阻率接近1010Ω·cm,高于同类方法文献报道1～2个数量级.晶体的结构完整性较好,平均腐蚀坑密度(EPD)为2×105cm-2,纵向组成分布偏离度在4%左右,红外透过率大于60%,晶体中第二相和沉淀物明显减少,优于仅采用Cd分压控制的Cd0.8Zn0.2Te晶体.
关键词:
CdZnTe晶体
,
布里奇曼法
,
CdZnTe熔体平衡分压
,
γ探测器
闵嘉华
,
桑文斌
,
钱永彪
,
王昆黍
,
刘洪涛
,
詹峰
,
秦凯丰
,
樊建荣
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2006.05.013
采用有限元方法模拟共面栅探测器的权重势分布,通过计算器件的电荷感应效率(CIE)以及感应信号,研究了CdZnTe共面栅器件的电子俘获修正技术,结果表明采用调整两组栅极输出信号的相对增益G的方法,可以有效地修正由于电子俘获造成的器件响应在深度上的不均匀;通过将次外条收集栅和非收集栅分别加宽一倍可以使两组栅电极的权重势分布在器件宽度上具有良好的均匀性,在此基础上采用调整增益G值来修正电子俘获,可使CdZnTe共面栅器件在深度和宽度方向上均得到均匀的响应特性.
关键词:
CZT共面栅器件
,
权重势
,
电子俘获
,
电荷感应效率
彭小雷
,
桑文斌
,
王林军
,
刘祖刚
,
史伟民
,
钱永彪
,
闵嘉华
,
刘引烽
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.1999.05.001
采用离子络合法在PAN膜中制备了CdS纳米微晶. 根据红外吸收 (IR) 光谱和原子力显微镜 (AFM) 的测试结果提出了可能的形成机理, 并采用X射线衍射分析 (XRD)、紫外可见吸收光谱 (UV)、激发和发射光谱 (PL) 对其特征进行了初步表征.
关键词:
PAN
,
离子络合法
,
CdS纳米微晶
闵嘉华
,
桑文斌
,
刘洪涛
,
钱永彪
,
滕建勇
,
樊建荣
,
李万万
,
张斌
,
金玮
稀有金属材料与工程
对电阻率为103～6Ω·cm的In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片在Te气氛和Cd/Zn平衡蒸汽压下进行了热处理,对电阻率为108～9Ω·cm的非掺杂晶片则在In气氛和Cd/Zn平衡蒸汽压下进行了热处理.结果表明,In掺杂Cd0.9Zn0.1Te晶片经处理后电阻率可提高3个数量级.非掺杂晶片在In气氛中热处理可很容易地改变导电类型,在热处理温度700℃,In分压6.1×10-4 Pa,退火时间达48 h后,电阻率可以提高到2.6×109Ω·cm.
关键词:
CdZnTe热处理
,
Cd/Zn平衡分压
,
In扩散
桑文斌
,
彭小雷
,
史伟民
,
刘祖刚
,
钱永彪
,
王林军
,
闵嘉华
,
刘引烽
功能材料
依据高分子链上的配位基团与金属离子间络合反应平衡原理以及溶液中双电层扩散模型,提出了用溶胶络合转化法在甲壳胺中制备CdS纳米微晶的新方法.采用原子力显微镜(AFM)、X射线衍射图谱(XRD)、紫外-可见吸收光谱(UV)及激发-发射光谱等手段研究了甲壳胺膜中CdS纳米微晶的特性,室温下的量子尺寸效应由实验得到了证实.此外分别采用Scherrer公式和AFM技术对晶粒尺寸进行了估算与测定,并对两种结果进行了比较与分析,由这种方法制备的纳米微粒尺度可由实验条件控制在2～18nm之间.
关键词:
溶胶络合转化法
,
甲壳胺
,
Cd3纳米微晶
,
原子力显微镜
施朱斌
,
桑文斌
,
钱永彪
,
滕建勇
,
闵嘉华
,
樊建荣
,
胡冬妮
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.03.006
本文为CdznTe(CZT)二元并行探测器设计并制作了信号处理系统电路,包括前置放大电路,差分放大电路,极零相消电路,滤波成形电路,微调电路和基线恢复电路和加和电路.137Cs(662keV)辐射下的信号,经过差分放大,极零相消和滤波成形电路的输出,信号持续时间在10μs内,幅度为260mV,两路信号相加后信噪比大于15:1.能谱测试初步结果表明:采用这个信号处理系统,二元CZT并行探测器对137Cs(662keV)源的探测效率分别是单元器件的1.74和2.2倍,能量分辨率接近于单元器件.
关键词:
二元并行探测器
,
CdZnTe探测器
,
信号处理
,
读出电路
李刚
,
桑文斌
,
闵嘉华
,
钱永彪
,
施朱斌
,
戴灵恩
,
赵岳
无机材料学报
doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2008.05.037
利用低压垂直布里奇曼法制备了不同In掺杂量的CdZnTe晶体样品,采用低温光致发光谱(PL)、深能级瞬态谱(DLTS)以及霍尔测试等手段研究了In掺杂CdZnTe晶体中的主要缺陷能级及其可能存在的补偿机制.PL测试结果表明,在In掺杂样品中,In原子占据了晶体中原有的Cd空位,形成了能级位于Ec-18meV的替代浅施主缺陷[In+Cd],同时[In+Cd]还与[v2-Cd]形成了能级位于Ev+163meV的复合缺陷[(In+Cd-V2-Cd)-].DLTS 分析表明,掺In样品中存在导带以下约0.74eV的深能级电子陷阱能级,这个能级很可能是Te反位[Tecd]施主缺陷造成的.由此,In掺杂CdZnTe晶体的电学性质是In掺杂施主缺陷、Te反位深能级施主缺陷与本征受主缺陷Cd空位和残余受主杂质缺陷补偿的综合结果.
关键词:
碲锌镉
,
低温PL
,
深能级瞬态谱
,
缺陷能级
储耀卿
,
陈之战
,
李耀刚
,
钱永彪
人工晶体学报
采用Bridgman法生长了二氧化碲(TeO2)晶体,运用光学显微镜、电子衍射光谱、化学腐蚀等方法分析了该方法生长TeO2晶体内部的缺陷.初步讨论了散射点、微裂纹、气泡和黑点、条纹以及腐蚀坑等微缺陷的形成机理.结果表明:晶体内部的散射点来自于原料中杂质,条纹主要是由于晶体内应力引起,晶体内的气泡和黑点和晶体生长的温度密切相关,并就如何减少这些微缺陷进行了初步探讨.
关键词:
TeO2晶体
,
晶体缺陷
,
Bridgman法
,
晶体生长
,
形成机理
孟利敏
,
闵嘉华
,
梁小燕
,
钱永彪
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2012.01.011
借助有限元模拟仿真软件ANSYS,研究分析了不同的封装体、芯片和框架厚度,以及散热底和芯片基岛尺寸对于小尺寸两边扁平无引脚( DFN)封装器件在回流焊温度条件下的热应力及翘曲变形分布影响.结果表明:封装体等效热应力最大处位置均位于框架、芯片和塑封料将银浆包裹处(即:银浆溢出的三角区域),其数值随封装体厚度减薄呈递减趋势；整体的热应力分布也随之沿着芯片、银浆和框架结合界面的中心位置向银浆三角区域延伸并逐步增大；对于薄型DFN封装体,芯片厚度、散热底和芯片基岛尺寸对于封装体总体翘曲变形的影响较小；框架厚度对于封装体总体翘曲变形及等效应力的影响较大；通过适当地减薄封装体厚度,并同时减薄框架厚度可以有效地降低封装体热应力,且总体翘曲变形都在1 um以下.
关键词:
有限元模拟仿真
,
热应力
,
翘曲变形
