袁剑峰
,
闫东航
,
许武
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.01.004
研究了不同厚度有源层的顶电极CuPc-OTFT器件的电学特性.发现器件的性能与有源层厚度有依赖关系,其中,有源层厚度为20 nm的器件性能最好.在有源层厚度大于20 nm时,有源层厚度的增大不但分去一部分栅电压而且还增大了源、漏电极的接触电阻,从而不利于器件性能的提高.但当有源层厚度小于20 nm以后器件的性能开始降低.我们认为当有源层厚度降低到一定程度时,有源层上表面的表面态会使有机材料的隙态浓度增加从而对沟道载流子迁移率产生不良影响以及使器件的阈值电压增大.
关键词:
有机薄膜晶体管
,
有源层
,
厚度
袁剑峰
,
闫东航
,
许武
液晶与显示
doi:10.3969/j.issn.1007-2780.2004.03.003
研究了有机薄膜晶体管(Oganic thin film transistor,OTFT)的阈值电压漂移与栅偏置电压和偏置时间的关系、不同栅绝缘膜对OTFT阈值电压漂移的影响以及不同栅绝缘膜MIS结构的C-V特性.结果发现,栅偏置电压引起了OTFT转移特性曲线的平移而场效应迁移率(μFE)和亚阈值陡度(ΔS)不变;阈值电压漂移的量与偏置时间的对数呈线性关系.还发现阈值电压漂移量与栅绝缘膜绝缘性能有关,绝缘性能好的绝缘膜(如SiO2)器件阈值电压漂移量小,绝缘性能差的绝缘膜(如TaOx)器件阈值电压漂移量大.认为有机晶体管阈值电压漂移是由沟道载流子以直接隧穿方式进入栅绝缘膜内的陷阱造成的.
关键词:
有机薄膜晶体管
,
阈值电压漂移
,
栅绝缘膜陷阱
,
C-V特性
