闫伟超
,
孙汝杰
,
陈凌翔
,
吕建国
,
叶志镇
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2015.06.008
采用射频磁控溅射技术,成功制备出能用作薄膜晶体管(TFT)沟道层的非晶态Nb-Zn-Sn-O(NZTO)薄膜.研究了溅射压强、退火处理对NZTO薄膜的材料结构、电学和光学性能的影响,并在溅射功率为120W、溅射压强为0.6Pa且在400℃温度下退火2h后,制备出了电子迁移率达5.5cm2v-1 s-1、载流子浓度在1017以下且可见光透射率为80％以上的薄膜.
关键词:
磁控溅射
,
非晶态
,
薄膜
,
退火
