赵晓玲
,
王孝
,
曹韫真
,
闫璐
,
章俞之
功能材料
doi:10.3969/j.issn.1001-9731.2013.18.032
利用等离子体发射光谱监测系统(PEM)控制钒的等离子强度,在石英基底上磁控溅射制备了VO2薄膜。采用 XRD、XPS、SEM、紫外-可见-近红外分光光度计及傅立叶红外分光光度计研究薄膜的结构、光学及相变特性。结果表明,所制备的 VO2薄膜具有(011)取向,VO2薄膜的热滞回线宽度为25℃,可见光透过率和太阳光调节率分别可达T lum,l=34.1%、T lum,h=35.3%和ΔT sol=6.8%,相变前后,红外光区的反射率变化最大值可达44.4%。
关键词:
VO2薄膜
,
PEM
,
光学性能
王孝
,
闫璐
,
李莹
,
曹韫真
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150302
采用等离子体辉光监控系统(PEM)反馈控制反应溅射过程,在石英基底上制备出单斜相VO2薄膜,并研究了反馈控制下反应溅射的等离子体相对辉光强度与氧气流量的关系.实验结果表明:在不同的反应压强(0.8 Pa、0.5 Pa、0.2 Pa)下,通过调整相对辉光强度值(REI)均可稳定获得单斜相VO2薄膜,对应的REI值分别为0.6～0.65、0.65、0.6.XRD测试结果表明VO2薄膜具有明显的(011)晶面取向,XPS测试结果表明薄膜的化学计量比为VO2.02.VO2薄膜在2.5 μm处的变温透过率测试结果显示薄膜在相变前后的透过率变化达到65％,相变温度确定为66℃.
关键词:
二氧化钒
,
等离子辉光监控
,
反馈控制
,
反应溅射
,
薄膜
杨超
,
李莹
,
闫璐
,
曹韫真
无机材料学报
doi:10.15541/jim20150594
通过原子层沉积(ALD)工艺在硅基底依次沉积氧化铝缓冲层薄膜和氧化铁催化薄膜,然后利用管式炉进行水辅助化学气相沉积(WACVD)生长垂直碳纳米管阵列(VACNTs)。结果表明： ALD工艺制备的氧化铁薄膜经还原气氛热处理可形成碳纳米管阵列生长所需的纳米催化颗粒；氧化铁薄膜厚度与纳米催化颗粒大小以及生长出的碳纳米管阵列的结构密切相关。当氧化铁薄膜厚度为1.2 nm时,生长出的碳纳米管阵列管外径约为10 nm,管壁层数约为5层,阵列高度约为400?m。增大氧化铁薄膜的厚度,生长出的碳纳米管阵列外径和管壁数增加,阵列高度降低。实验还在硅基底侧面观察到了VACNTs,表明ALD工艺可在三维结构上制备催化薄膜用于生长VACNTs。
关键词:
原子层沉积
,
氧化铁
,
水辅助化学气相沉积
,
垂直碳纳米管阵列
,
结构可控
,
三维样品
闫璐
,
王孝
,
曹韫真
,
沈自才
宇航材料工艺
doi:10.3969/j.issn.1007-2330.2016.03.005
设计了基于VO2的非对称FP腔薄膜结构的智能热控涂层,并应用光学模拟计算的方法研究了不同膜层厚度对薄膜结构辐射率的影响,以及辐射率随角度的变化规律.计算结果表明,当相变层VO2层的厚度从15 nm增至120 nm时,薄膜结构的辐射率变化△ε先增加再减小,VO2厚度为50 nm时,△ε达到最大,约为0.6.介质层HfO2的厚度主要影响多层薄膜结构的高温吸收带位置,但△ε在HfO2层厚度为800～1 000 nm,均可达到约0.6的最大值.多层薄膜结构在0°～ 70°,仍保持明显的辐射率变化,△ε在0.4以上.
关键词:
智能热控涂层
,
二氧化钒
,
模拟计算
