李爱丽
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闫金良
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石亮
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刘建军
人工晶体学报
采用射频磁控溅射ZnO陶瓷靶、直流磁控溅射Cu靶的方法在不同基底温度下制备了ZnO/Cu/ZnO多层膜.用X射线衍射仪、原子力显微镜、紫外可见分光光度计和四探针测试仪对样品的性能进行了表征.结果表明,随着基底温度的升高,ZnO层c轴择优取向明显,结晶程度变好,Cu层的结晶性先变好后逐渐变差;多层膜表面均方根粗糙度随基底温度的升高而增加;光学透过率随基底温度的升高逐渐增大,基底温度为300 ℃时最大透过率接近90%;面电阻随基底温度的升高逐渐增加,最小面电阻为12.4 Ω/□.
关键词:
透明导电膜
,
多层膜
,
光学性质
,
电学性质
杨春秀
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闫金良
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刘金浩
,
王立志
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.03.021
利用传统的陶瓷制备工艺制备了Sr掺杂的WO3陶瓷样品,测量了样品的显微结构和电学性质.结果表明,对于Sr掺杂来说,浓度为2 mol%是一个临界点,在这一点处电学性质和微观结构都将发生显著的变化.掺杂浓度为0.2 mol%的样品表现出较高的非线性系数8.7.实验中发现部分样品表现出电学的不稳定性,我们认为这种不稳定性与相共存以及由此导致的极化有关.
关键词:
三氧化钨
,
电学性质
,
非线性
,
极化
武松
,
闫金良
,
焦淑娟
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn 1673-2812.2017.02.008
用第一性原理计算不同Nb掺杂浓度的n型Nb掺杂SrTiO3,研究了Nb掺杂浓度对SrTiO3的形成焓、电子结构和光学性能的影响.在Nb掺杂SrTiO3中Nb替位Ti原子,与实验结果一致.Nb掺杂SrTiO3的费米能级进入导带底部,Nb掺杂SrTiO3呈现n型半导体特征.从微观角度分析了Nb掺杂浓度对导电性的影响,1.11at％ Nb掺杂SrTiO3在可见光范围有强吸收,是一种有潜在应用的光催化材料;而1.67at％和2.5at％Nb掺杂SrTiO3是潜在的透明导电材料.
关键词:
半导体掺杂
,
电学性能
,
光学性能
,
电子结构
