刘文婷
,
刘正堂
,
闫锋
,
田浩
,
刘其军
硅酸盐通报
采用射频磁控溅射法在无氧和有氧气氛下制备了HfO2薄膜.通过X射线衍射(XRD)、X射线光电子能谱(XPS)、高分辨透射电子显微镜(HRTEM)、傅立叶变换红外光谱(FTIR)、椭圆偏振光谱(SE)以及电容-电压(C-V)测试对薄膜的结构、成分、HfO2/Si界面和HfO2栅介质MOS结构的电学性能等进行了分析表证.结果表明,溅射过程中通入氧气后,薄膜出现了较明显的结晶化;薄膜的氧化程度得到提高,成分更接近理想化学计量比HfO2.在HfO2/Si界面处存在的SiO2界面层,有氧条件下界面层的厚度增大.氧气的通入改善了HfO2栅介质MOS结构的电学性能.
关键词:
射频磁控溅射
,
HfO2薄膜
,
界面层
,
电学性能
李强
,
刘正堂
,
冯丽萍
,
宋文燕
,
张兴刚
,
闫锋
材料科学与工艺
doi:10.3969/j.issn.1005-0299.2007.01.013
在蓝宝石(α-Al2O3)衬底上利用射频磁控反应溅射法制备出SiO2/Si3N4双层增透膜系,并对镀膜后的蓝宝石进行了高温强度测试及其透过率的研究.研究表明:镀膜后蓝宝石的高温强度和透过率均有明显提高;800℃时,镀膜蓝宝石的高温强度比未镀膜提高了41.0%;在3～5μm波段范围内,室温下镀膜后透过率比镀膜前提高8.0%;SiO2/Si3N4膜系具有较高的热稳定性,且与蓝宝石衬底附着良好.
关键词:
磁控溅射
,
SiO2/Si3N4 薄膜
,
蓝宝石
,
高温强度
,
透过率
闫锋
,
刘正堂
,
刘文婷
,
刘其军
材料导报
采用射频磁控溅射法以Y2O3陶瓷为靶材在单晶si(Ⅲ)和石英表面制备了Y2O3薄膜.利用X射线衍射(XRD)仪、扫描电子显微镜(SEM)、紫外-可见(UV-VIS)光谱仪和傅立叶变换红外(FTIR)光谱仪对真空退火前后Y2O3薄膜的结构和光学性质进行了分析研究.结构研究表明,在200℃条件下制备的Y2O3薄膜为非晶态,经600℃退火后出现单斜相,经800℃退火后薄膜完全转化为立方多晶,同时得到了不同晶面的晶粒尺寸;沉积态的Y2O3薄膜由球状颗粒排列组成,经800℃真空退火后薄膜为柱状晶.光学性质研究发现,真空退火后Y2O3薄膜的红外透过率显著下降;使用Tauc作图法得到不同结晶条件下的光学带隙,发现薄膜的光学带隙与结晶条件有关,并且退火后薄膜的光学带隙明显减小.
关键词:
Y2O3薄膜
,
晶体结构
,
退火处理
,
透过率
,
光学带隙
刘其军
,
刘正堂
,
闫锋
电镀与涂饰
为了提高金刚石的红外透过率,根据光干涉膜基础理论对薄膜增透进行了设计,获得了增透膜系的相关参数,并采用非规整设计中的彻底搜索法对所设计的膜系进行了增透效果分析.结果表明,在金刚石衬底上单面和双面镀Y_2O_3膜系后,透过率有明显提高.Y_2O_3膜系是性能优异的金刚石红外光学材料增透膜.
关键词:
金刚石
,
氧化钇
,
薄膜
,
射频磁控反应溅射
,
增透
,
红外透过率
,
设计
闫锋
,
郇正利
,
王文林
硅酸盐通报
本文主要采用固相反应制备了0.7PZT-(0.3-x)PNN-xPZN多元系压电陶瓷材料.通过X射线衍射法(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)和电子色散谱仪(EDS)研究了该体系压电陶瓷的晶体结构、断面形貌和成分组成.采用准静态d33/d31测量仪和阻抗分析仪测量压电陶瓷片的压电应变常数d33和d31、弹性柔顺系数SE11以及其它的性能参数.同时,研究了硬性掺杂、碱金属掺杂及Ti/Zr比值变化对压电陶瓷材料性能的影响规律,摸索制备大位移量、高弹性模量压电陶瓷材料的方法.
关键词:
激光陀螺
,
压电陶瓷
,
大位移
,
高弹性模量
,
压电性能
