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Ar~(+)混合Fe-Dy多层膜的结构及性能

李胜利 , 王佩璇 , 阎凤章 , 马如璋

金属学报

用真空双源蒸镀法在Si单晶衬底上制备了Fe,Dy原子数比为3:2的Fe─Dy成分调制多层膜.用AES、RBS、X射线衍射(XRD)以及磁性测量分析了Ar~(+)混合前后Fe─Dy多层膜的相交.Ar~(+)离子注入能量110keV,剂量5×10~(15)─1×10~(17)/cm~2.结果表明,注入剂量为1×10~(17)/cm~2时,Fe,Dy完全混合,并且由晶态的Fe,Dy完全转变为Fe_(60)Dy_(40)(近似于该化学配比)的非晶态合金,随Ar~(+)注入量的增加,Fe一Dy多层膜的M_s下降,在剂量50×10~(15)/cm~2时下降幅度最大。

关键词: Fe─Dy多层膜 , amorpohization , magnetic property. , null

Ge/GaAs中APD及薄膜性能研究

杨茹 , 李国辉 , 仁永玲 , 阎凤章 , 朱红清

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2000.03.035

研究了一种光纤通讯用光电探测器.在GaAs上蒸镀800nm的Ge,并在此材料基础上提出了一种吸收倍增分离的雪崩二极管(SAM-APD)的结构设计,采用GaAs作为倍增区,Ge作为吸收区.在此结构上初步制作的二极管正向开启电压为0.2~0.3V,反向击穿电压为2.5V,漏电不明显,p-n结特性良好.

关键词: Ge/GaAs , 吸收倍增分离 , 雪崩光电二极管(APD)

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