廖国进
,
巴德纯
,
闻立时
,
刘斯明
,
阎绍峰
功能材料
应用中频反应磁控溅射技术在载玻片上制备掺铈的Al2O3薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为43ml/min,氧流量为10ml/min,室温下溅射时间为90min的条件下,通过控制薄膜中的Ce3+离子的掺杂量来改变薄膜的发光性能.通过X光能量散射谱(EDS)和光致发光测量,得到发光强度和发光峰位对薄膜中的Ce3+浓度有强烈的依赖关系,并且分析了产生这种关系的原因;对发光激发谱分析表明,薄膜发光是源于薄膜中形成的氯化铈集合体中的Ce3+.Al2O3:Ce3+发光膜可应用于需要蓝光发射的平板显示领域.
关键词:
三氧化二铝薄膜
,
磁控溅射
,
掺杂浓度
,
光致发光
,
Ce
廖国进
,
巴德纯
,
闻立时
,
刘斯明
,
阎绍峰
材料导报
对近十几年来Al2O3薄膜在发光方面的研究进展分4个方面进行了介绍:(1)多孔阳极氧化铝薄膜基质的光致发光(PL)及其发光机理研究;(2)退火温度对多孔阳极氧化铝薄膜发光性能的影响;(3)氧化铝薄膜基质中掺杂稀土离子或过渡金属离子后的光致发光研究;(4)Al2O3薄膜的电致发光(EL)研究.此外,还对氧化铝薄膜发光方面的发展前景进行了展望.
关键词:
Al2O3
,
薄膜
,
发光
,
研究进展
廖国进
,
巴德纯
,
闻立时
,
刘斯明
,
阎绍峰
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2007.06.007
应用中频反应磁控溅射设备在载玻片上制备掺铈的Al2:O3薄膜,在固定的电源功率下,氩气流量为23sccm,氧流量为5sccm,室温下溅射时间为90min的条件下,通过控制薄膜中的Ce3+离子的掺杂量来改变薄膜的发光性能.通过X光能量散射谱(EDS)和光致发光测量,得到发光强度和发光峰位对薄膜中的Ce3+浓度有强烈的依赖关系,并且分析了产生这种关系的原因;对发光激发谱分析表明,薄膜发光是源于薄膜中形成的氯化铈集合体中的Ce3+.Al2O3:Ce3+发光膜可应用于需要蓝光发射的平板显示领域.
关键词:
三氧化二铝薄膜
,
中频反应磁控溅射
,
掺杂浓度
,
光致发光
,
Ce
