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Sol-gel法制备(BiAl)DyIG石榴石磁光记录薄膜

采用柠檬酸络合物型溶胶-凝胶法首次制备得到了具有垂直各向异性的(BiAl)DyIG石榴石磁光记录薄膜,并对材料结构和磁光性质进行了研究,结果得到石榴石磁光记录薄膜磁滞回线具有较好的矩形比.在430nm和520nm的品质因子为2°和1.5°,最佳晶化温度为675℃.

关键词: 溶胶-凝胶法 , 石榴石薄膜 , 磁光性质

磁光超分辨近场结构存储技术

张约品 , 阮昊 , 魏劲松 , 沈德芳 , 干福熹

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2002.04.022

介绍分析了近场存储基本原理和现状,对实现磁光近场存储的一种新方法-磁光超分辨近场结构的应用原理、最新进展及发展方向进行了综述.

关键词: 超分辨 , 近场存储 , 磁光超分辨近场光存储

光辅助磁记录-混合记录技术研究进展

王现英 , 阮昊 , 张约品 , 沈德芳 , 干福熹

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.024

混合记录又称为光辅助磁记录,是近年来发展起来的超大容量存储技术,它以激光辅助热磁记录和磁通检测读出为主要特征,具有记录密度潜力大、读出灵敏度和分辨高等优点,是一种很有前途的记录方式.本文较全面地介绍了这种记录方式的基本原理、记录介质及其研究现状,并讨论了其发展前景.

关键词: 混合记录 , 激光辅助记录 , 磁通检测读出

AgOx掩膜的制备和性能研究

张约品 , 阮昊 , 沈德芳 , 干福熹

功能材料

磁控反应溅射制备了AgOx掩膜,用聚焦激光热效应装置测得的光透过特性,分析了AgOx掩膜的开关性能.结果表明,AgOx掩膜在较低的温度作用下有良好的开关性能,反应AgOx Ag+O2可逆,适用于LSC-super-RENS光盘.用X-ray和TEM分析了热处理后的AgOx薄膜的成分结构,表明200℃热处理AgOx掩膜存在纳米量级Ag颗粒.

关键词: AgOx , 反应溅射 , 掩膜

C60膜上金刚石的成核与生长形貌研究

刘波 , 王豪 , 阮昊 , 干福熹

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.02.018

本文研究了HFCVD系统中覆盖有C60膜的Si(100)衬底上金刚石的成核与形貌特征.结果表明,C60能大幅度提高金刚石成核密度;C60氢化预处理能大幅度促进金刚石成核,但要合理控制CH4的浓度和预处理时间;随衬底温度的升高,金刚石晶粒由球状变为菜花状聚晶.

关键词: C60 , 金刚石薄膜 , 成核

溅射功率对Ge2Sb2Te5薄膜光学常数的影响

谢泉 , 侯立松 , 干福熹 , 阮昊 , 李晶 , 李进延

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2000.05.011

研究了溅射功率对Ge2Sb2Te5薄膜的光学常数与波长关系的影响,结果表明,在波长小于500nm的情况下,随溅射功率的增加非晶态薄膜的折射率n先增加然后减小,消光系数k则逐渐减小;在波长大于500nm的情况下,随溅射功率的增加折射率n逐渐减少,消光系数k先减小后增加.对于晶态薄膜样品,在整个波长范围折射率n随溅射功率的增加先减小后增加,消光系数k则逐渐减少.薄膜样品的光学常数,在长波长范围随波长变化较大,在短波长范围变化较小.讨论了溅射功率对Ge2Sb2Te5薄膜的光学常数影响的机理.

关键词: 溅射功率 , Ge2Sb2Te5薄膜 , 光学常数

相变光盘介电层ZnS-SiO₂薄膜的性能研究

刘波 , 阮昊 , 干福熹

无机材料学报

利用AFM、XRD、TEM、紫外可见光谱仪和椭偏仪等多种研究手段研究了ZnS-SiO₂薄膜的性能.研究表明,沉积态ZnS-SiO₂薄膜为非晶态,表现为层核生长型(Straski-Krastanov型)结构,表面很平滑,其中包含着大小为2-10nm的微小晶粒;ZnS-SiO₂薄膜的透过率比较大,消光系数很小,这可以减少入射激光能量的损失;ZnS-SiO₂薄膜拥有比较高的折射率,能够对记录层起到很好的保护作用.

关键词: ZnS-SiO₂ , dielectric layer , phase-change optical disk

聚焦脉冲激光作用下Ge₂Sb₂Te₅薄膜晶化过程及机理

魏劲松 , 阮昊 , 干福熹

无机材料学报

采用聚焦脉冲激光研究了Ge₂Sb₂Te₅薄膜在沉积和激光淬火两种非晶态下反射率与激光脉冲宽度变化的关系,发现沉积态的Ge₂Sb₂Te₅薄膜在晶化触发阶段内的反射率随激光脉冲宽度增加而减小,经过激光淬火的非晶态Ge₂Sb₂Te₅薄膜在晶化触发阶段内的反射率随激光脉冲宽度增加而变化平缓.本文借用气-液体系中过饱和度分析液滴形成的原理,从统计物理学角度详细研究了两种非晶态Ge₂Sb₂Te₅薄膜在脉冲激光作用下的晶化过程及机理,结果表明,当Ge₂Sb₂Te₅的非晶态程度处于未饱和或饱和状态时不形成晶核;当Ge₂Sb₂Te₅的非晶态程度处于过饱和状态时,此时的Ge₂Sb₂Te₅为亚稳态,可能形成大小不等的晶核,但只有半径大于临界晶核尺寸时才可能长大成晶粒.而应力降低晶化能垒,增加非晶态Ge₂Sb₂Te₅的过饱和度是导致沉积态与激光淬火态的Ge₂Sb₂Te₅薄膜在晶化触发阶段内反射率随激光脉冲宽度变化规律不一致的根本原因,并据此解释了Ge₂Sb₂Te₅薄膜在这两种状态下的反射率随激光脉冲宽度的变化特点及规律.

关键词: Ge₂Sb₂Te₅ , thin films , crystallization , pulsed laser , super-saturation degree

非晶Ag11In12Te26Sb51薄膜的结晶行为

刘波 , 阮昊 , 干福熹

材料研究学报 doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2002.04.015

采用初始化仪使非晶Ag11In12Te26Sb51薄膜结晶,利用差分扫描量热仪、X射线衍射和光学透过率的测量研究了非晶Ag11In12Te26Sb51薄膜的结晶行为.结果表明,非晶Ag11In12Te26Sb51膜的结晶温度约为210℃,熔化温度为481.7℃,结晶活化能Ea=2.07 eV/atom;Ag11In12Te26Sb51膜的结晶动力学遵循成核和生长机理;在激光致相变过程中可能出现的晶相有AgSbTe2、AgInTe2、Sb和Ag2Te等相;Ag11In12Te26Sb51薄膜的结晶程度受初始化功率和转速的影响.

关键词: Ag11In12Te26Sb51 , 透过率 , 激光致相变