杨磊
,
刘涌
,
王慷慨
,
丛炳俊
,
程波
,
陆妍
,
林俊君
,
宋晨路
材料科学与工程学报
doi:10.14136/j.cnki.issn.1673-2812.2015.04.012
透明导电氧化物(TCO)薄膜要求低电阻率和可见光区高透过率.目前最常用的是ITO薄膜存在着有毒、In成本高等难以克服的缺点.NTO薄膜是近年来新发现的一种具备广阔前景的TCO薄膜,但对它的认识还不充分.本文采用APCVD法在玻璃基板上成功制备出了颗粒均匀细小致密的NTO薄膜,探索出最佳反应温度为500℃～550℃,通过高真空退火的方式改善了薄膜晶体质量,光学透过率获得大幅提升,与经过掺杂但未经过H2退火的Nb∶TiO2薄膜和经过H2退火但未掺杂的TiO2薄膜相比较,经过掺杂和H2退火的Nb∶ TiO2薄膜其电学性能得到明显改善.
关键词:
透明导电氧化物薄膜
,
常压化学气相沉积
,
晶体质量
,
光电性能
