陈京兰
,
胡凤霞
,
高书侠
,
王中
,
高智勇
,
赵连城
,
宫声凯
,
徐惠彬
金属学报
研究了Ni52Mn24Ga24合金单晶在磁场作用下能产生的目前最大的磁致伸缩应变.发现了该材料的双向相变应变效应以及磁场对此的增强现象在1.2 T磁场的作用下,可逆的相变应变达4%以上.实现这一结果的关键条件是马氏体变体的择优取向报道了获得马氏体变体的择优取向样品的单晶生长特性和后处理方法.根据前人报道的理论模型分析了实验结果,指出磁感生应变的物理机制是磁场提供的Zeeman能驱动变体间孪晶界的移动.
关键词:
Ni52Mn24Ga24
,
null
,
null
陈京兰
,
胡凤霞
,
高书侠
,
王中
,
高智勇
,
赵连城
,
宫声凯
,
徐惠彬
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2001.04.004
研究了Ni52Mn24Ga24合金单晶在磁场作用下能产生的目前最大的磁致伸缩应变.发现了该材料的双向相变应变效应以及磁场对此的增强现象在1.2 T磁场的作用下,可逆的相变应变达4%以上.实现这一结果的关键条件是马氏体变体的择优取向报道了获得马氏体变体的择优取向样品的单晶生长特性和后处理方法.根据前人报道的理论模型分析了实验结果,指出磁感生应变的物理机制是磁场提供的Zeeman能驱动变体间孪晶界的移动.
关键词:
Ni52Mn24Ga24
,
形状记忆
,
磁致伸缩
高智勇
,
陈枫
,
蔡伟
,
赵连城
,
王文洪
,
陈京兰
,
吴光恒
功能材料
研究了外磁场对Ni52Mn24.6Ga23.4(%,原子分数)单晶马氏体相变及其相变应变的影响,并对磁场增强相变应变的微观机制进行了探讨.研究结果表明无外加磁场时,NiMnGa合金发生马氏体相变时可产生约0.3%的收缩形变,沿单晶[100]方向施加外磁场,其相变应变随磁场的增加而呈近线性增加.当外磁场强度为6.37×105A/m时,应变量达到最大值(3.5%).磁场作用下冷却形成的马氏体虽然孪晶亚结构不变,但自协作组态消失,并伴随有孪晶板条的增厚.磁场对马氏体相变应变的增强效应来自于磁场作用下的马氏体变体的择优取向.
关键词:
磁性形状记忆合金
,
马氏体相变
,
相变应变
柳祝红
,
王文洪
,
陈京兰
,
高淑侠
,
吴光恒
金属功能材料
doi:10.3969/j.issn.1005-8192.2001.02.007
铁磁性Heusler合金Ni2MnGa是近年开发的磁控制功能材料,已发现该材料结合马氏体相变可以产生大磁致伸缩(磁感生应变)和磁控制形状记忆效应两种应用功能.用磁悬浮冷坩埚提拉设备沿[001]方向生长了组分为Ni52Mn24Ga24的单晶.室温时沿该单晶样品[001]方向加磁场,在该方向获得了-0.6%的大磁感生应变.当磁场方向垂直于[001]方向时,样品在[001]方向的磁感生应变值为0.5%.同时该单晶样品在室温附近还具有可由磁场增强和控制的双向形状记忆效应.无磁场作用时,降低温度,样品在发生马氏体相变时,在[001]方向产生1.2%的收缩形变.随后升高温度,反马氏体相变时样品以同样的应变量膨胀,恢复到原来的形状,显示了特有的无需外应力协助的自发的双向形状记忆效应.其温度滞后只有10℃.如果在样品的[001]方向加一个偏磁场,其形状记忆的应变量随磁场的增强而增大.在磁场为1.2T时可达4%.而当磁场转向[100]方向时,形状记忆的应变可以改变符号.本文指出产生大磁感生应变和磁增强双向形状记忆效应的关键是马氏体变体的择优取向.
关键词:
磁感生应变
,
双向形状记忆效应
,
Ni52Mn24Ga24
陈京兰
,
孟丽琴
,
赵德乾
,
高书侠
,
杜江
,
吴光恒
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2001.02.016
利用磁悬浮冷坩埚提拉法技术生长了Tb2Fe17和Tb2(Fe,Si)17的单晶，并用差热分析等方法研究了材料的相图。研究结果表明：Tb2Fe17的相关系并非以往报道的包晶反应，而是同成分熔化。本文还给出了Tb2Fe17化合物附近的新相图。采用优化后的生长条件，获得了缺陷较少的Tb2Fe17和Tb2(Fe,Si)17高质量单晶。分析了Si替代对于化合物结构的影响。测量了Tb2Fe17单晶样品的基本磁性。从材料的一级磁化过程的测量可以看出，在理想配比条件下最容易获得缺陷密度低的单晶样品。这种磁性测量方法为了解单晶的完整性提供了一个有效的间接观察方法。
关键词:
Tb2Fe17
,
Tb2(Fe,Si)17
,
提拉法单晶生长
,
相图
,
磁性测量
