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磁场下MgB2的电导涨落效应

李慧玲 , 阮可青 , 李世燕 , 莫维勤 , 樊荣 , 罗习刚 , 陈仙辉 , 曹烈兆

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2001.04.006

测量了磁场下MgB2的电阻与温度的依赖关系.测量结果表明:磁场下MgB2的临界涨落电导Δσ(H)符合由Ullah和Dorsey提出的关于临界涨落的三维标度方程.MgB2中较显著的临界涨落效应起源于其较高的超导转变温度和层状结构.由临界涨落电导符合三维的标度方程而不是二维,可推知MgB2中存在较强的层间耦合.

关键词:

Hg0.9Tl0.1Ba2Ca2Cu3O8+δ超导膜(Tc>124K)在混合态中的输运性质的研究

钱国光 , 阮可青 , 陈仙辉 , 李世燕 , 曹强 , 汪成友 , 曹烈兆

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.1999.02.010

本文研究了c轴取向的Hg0.9Tl0.1Ba2Ca2Cu3O8+δ超导膜(Tc>124K)在混合态下的电阻展宽及霍尔效应.低电阻区域的展宽显示出热激活磁通蠕动行为. 在膜的超导转变温度以下, 我们观察到霍尔电阻率符号反常现象.霍尔电阻率(ρxy)和纵向电阻率(ρxx})具有ρxy}(T)=kρβxx(T)的标度关系.

关键词:

Bi2Sr2-xLaxCaCu2Oy体系电子结构的光电子能谱研究

曹强 , 钱国光 , 阮可青 , 李世燕 , 陈仙辉 , 曹烈兆

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2000.02.004

Bi系铜氧化物超导体具有双Bi-O层结构,带结构理论计算显示,除Cu-O面参与金属导电外,Bi-O层的Bi6p-O2p带也穿过了费米能,对费米面有贡献.因此,有必要对Bi-O层的作用进行实验研究.本文用X-射线光电子能谱研究了Bi2Sr2-xLaxCaCu2Oy体系中La原子的占位及Bi和Cu原子的价态变化.分析表明,La主要替代了Sr位(位于Bi-O层和Cu-O层之间)的Sr,随着La的搀杂,Bi的平均价态上升,Cu的平均价态下降.

关键词:

Bi2Sr2Ca1-xPrxCu2Oy和Bi2Sr2Ca1-xYxCu2Oy系列单晶样品输运性质的对照研究

曹强 , 阮可青 , 李世燕 , 陈仙辉 , 钱国光 , 曹烈兆

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2000.03.002

测量了Bi2Sr2Ca1-xPrxCu2Oy(x的范围从0到0.5)和Bi2Sr2Ca1-xYxCu2Oy(x的范围从0到0.41)系列单晶样品的ab平面电阻率ρab(T).两个体系都表现出独特的掺杂效应.对掺Pr系列,超导转变温度Tc随掺杂量的增加逐渐降低,同时剩余电阻率却大幅度增加.在Pr含量达到约0.5时,体系出现了超导-绝缘体转变.对掺Y系列,观测到在某温度T*处ρab(T)偏离了对温度的线性关系,这是赝能隙打开的典型表现.t*随Y含量的增加而增加,而Tc则被迅速压制.我们预期Pr的反常磁性和掺Pr系列未观察到赝能隙有关.

关键词:

纳米晶CaV4O9的水热合成和磁性

桂宙 , 胡源 , 陈升忠 , 陈仙辉

中国有色金属学报

采用水热技术合成了CaV4O9纳米晶.还原水合肼对产物的形成起谱,X射线光电子能谱,透射电子显微镜和X射线能量色散谱等分析方法表征了所合成CaM4O9纳米晶的结构和组成.对其变温磁化率的测量表明产物具有二维量子自旋效应.讨论了化学条件的变化对合成产物的影响.

关键词: CaV4O9 , 纳米结构 , 水热合成 , 磁化率

La2-xSrxCuO4单晶的平面内磁阻研究

李世燕 , 阮可青 , 曹强 , 曹烈兆 , 陈仙辉 , 袁松柳

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2000.03.003

测量了三种不同组分La2-xSrxCuO4(x=0.09,0.18,0.24)单晶的平面内横向(H∥c,J∥ab)和纵向(H∥J∥ab)磁阻,发现平面横向与纵向磁阻都是正的,并且纵向磁阻与横向磁阻相比较很小,表明横向磁阻的主要贡献是电子轨道部分,也反映了ab面内和c方向电子有效质量的各向异性.三种成分单晶样品的平面内横向磁阻在不同温度随Sr含量x的变化显示在最佳掺杂浓度附近平面横向磁阻最大.

关键词:

铁磁性超导体RuSr2GdCu2O的比热和电磁性质研究

王克勤 , 余旻 , 李明德 , 陈祖耀 , 陈仙辉 , 曹烈兆

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2000.05.006

我们测量了氧化物超导材料RuSr2GdCu2O8的电阻、磁化率和比热,发现该样品在135K附近有一个铁磁相变过程.该样品的超导临界温度比较低,其零电阻温度在4.2K以下,而在134K附近电阻有一个很明显的峰值.磁化率在此温度显示出一个很尖锐的峰值,说明样品在此温度有一个由顺磁到铁磁的相变过程,而且这个相变过程进行得比较快,其温度范围大约为10K左右.

关键词:

(Hg,M)-1222相铜氧化合物的合成及其超导电性研究(M=W、Mo、Ti、V、Cr)

刘路 , 李世燕 , 樊荣 , 陈仙辉

低温物理学报 doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2000.05.005

分别用固相反应和柠檬酸盐溶胶-凝胶法制备名义组成为Sr2(Gd1 5Ce0.5)Cu2Oz的前驱物,再用真空烧结的方法合成了(Hg,M)-1222相铜氧化合物(Hg0.75M0.25)Sr2(Gd1.5Ce0.5)Cu2Oz(M=W,Mo,V,Cr,Ti).溶胶-凝胶法同固相法相比混合更均匀,反应温度低,成相情况好.改进该方法后,用溶解度较高的Ce(NO3)3代替不溶于硝酸的CeO2,制得了纯1222相.研究了不同退火条件对样品电阻温度特性的影响,发现高氧压退火有助于超导转变.M=W,Mo时得到超导体,Tc(onset)在13~27K之间.

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