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中低能质子致金属氘化物二次电子发射系数研究

陈佳林 , 黎明 , 王诗尧 , 邵剑雄 , 谈效华 , 金大志 , 向伟 , 崔莹 , 陈熙萌

稀有金属

测量了中低能质子致氘化钛和氘化锆二次电子发射系数.结果表明,20 nA/cm2束流下各二次电子发射系数与其电子能损近似成正比,比例因子∧较Sternglass理论值偏大约50%,表面吸附层影响二次电子发射系数.束流密度为7μA/cm2的100 keV质子束长时间测量时,二次电子发射系数γ和正比例因子∧在前100 s内快速下降并逐渐稳定至理论值.

关键词: 中低能质子 , 金属氘化物 , 二次电子发射系数

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