张金东
,
刘勇
,
陈卫
,
田保红
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2009.04.017
利用不同Ce含量的Cu-0.8Cr-Ce合金进行包埋内氧化处理,对所得的Cu/Cr_2O_3复合材料进行显微组织观察、内氧化层深及不同退火处理后显微硬度测定.结果表明:随着内氧化时间的延长,复合材料的内氧化层深增加;Ce的加入,不仅细化了晶粒,而且内氧化层深也相应加深,最高达772μm;同时Ce含量增加,也提高了Cu/Cr_2O_3复合材料软化温度,对于内氧化12 h所得Cu/Cr_2O_3复合材料,含0.1%Ce的软化温度约为400℃,而含0.2%Ce的软化温度约为500℃.
关键词:
Cu/Cr_2O_3复合材料
,
包埋内氧化
,
显微组织
,
显微硬度
任斌
,
赖树明
,
陈卫
,
黄河
材料导报
用有机半导体制作太阳能电池,工艺简单,成本低廉,虽然目前转换效率较低,但具有发展的潜在优势.介绍了有机太阳能电池基本性质、结构、原理、研究现状及缺陷和产生的原因,并对它的未来发展模式作了简要描述.
关键词:
有机太阳能电池
,
结构
,
原理
,
缺陷
刘勇
,
田保红
,
陈卫
,
周洪雷
,
张大华
,
刘平
材料热处理学报
采用内氧化法制备了Cu/Cr2O3弥散强化铜基复合材料,并利用SEM、TEM等分析手段对其性能和微观结构进行了分析.实验结果表明:随着内氧化时间和温度的增加,内氧化层深逐渐增大;随变形量的增加,试样硬度和抗拉强度逐渐升高,导电率略有降低;微观组织分析表明,在铜基体上弥散分布着大量细小均匀的Cr2O3颗粒,其粒径为5～20nm颗粒间距为20～50nm.
关键词:
Cr2O3弥散铜
,
内氧化
,
显微硬度
,
导电率
,
抗拉强度
陈卫
材料开发与应用
在VDBF-250真空热压烧结炉中,采用真空热压烧结工艺制备了Mo10/Cu-Al2O3复合材料,观察显微组织,并测试性能.在HST100载流高速摩擦磨损试验机上研究了载流磨损机理.结果表明,该材料致密度为98.23％,组织较为致密;显微硬度为116 HV,导电率为41.33％ IACS;Mo10/Cu-Al2O3复合材料的磨损形式为粘着磨损、磨粒磨损和电弧烧蚀磨损.
关键词:
真空热压烧结
,
Mo10/Cu-Al2O3复合材料
,
显微组织
,
性能
,
磨损机理
刘勇
,
王莹
,
陈卫
,
康布熙
材料开发与应用
doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2004.01.006
以45钢为基体、烧结6-6-3铜合金为轴套耐磨层,研究了双金属结合状态及影响双金属结合强度、铜合金层物理、力学性能的工艺因素.结果表明,采用400MPa压力压制不规则形状的6-3-3铜合金粉制作耐磨层,不仅有利于烧结后获得均匀组织,且与45钢基体有较高的结合强度,最高抗剪切强度达到95MPa.采用800MPa压力进行复压处理,可获得最好的耐磨损性能.
关键词:
45钢基体
,
烧结
,
6-6-3铜合金
,
双金属
李梁
,
孙建科
,
孟祥军
,
刘茵琪
,
陈卫
材料开发与应用
doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2005.06.001
研究了热循环变形后Ti80合金的超塑性.结果表明,在800～980℃温度范围内,m值大于0.3;在最高试验温度930℃,拉伸速度为0.2mm/min,循环5次的条件下,伸长率达350%;变形过程中晶粒首先得到细化,随后有所长大;变形后组织均匀,呈等轴状.Ti80合金表现出超塑特性.
关键词:
Ti80合金
,
热循环
,
超塑性
陈煊
,
程礼
,
陈卫
,
李玉龙
复合材料学报
doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20160330.002
采用分离式Hopkinson拉杆装置和电子万能试验机研究了二维C/SiC复合材料在4种应变率(0.001、0.010、90.000和350.000 s-1)下的拉伸力学性能,计算并验证了动态试验中的应力平衡状态;采用SEM分析了复合材料在不同应变率下的破坏断口和失效机制;建立了复合材料包含损伤和应变率相关的本构方程.结果表明:二维C/SiC复合材料的应力-应变曲线都表现出非线性的特征.随着应变率的增加,二维C/SiC复合材料的拉伸强度从204MPa增加到270 MPa,增加了33％,这表明复合材料的拉伸强度具有较强的应变率敏感性.复合材料在准静态和动态加载下表现出不同的破坏模式是由材料内部界面行为的应变率效应造成的.
关键词:
C/SiC复合材料
,
动态拉伸
,
应变率效应
,
应力平衡
,
本构方程
宋跃
,
卢俊平
,
雷瑞庭
,
陈卫
,
程博
液晶与显示
doi:10.3788/YJYXS20142901.0048
为实现TFT-LCD显示控制器的SOPC-IP设计,选择FPGA-EP4CE6F17C8作为设计验证平台,采用verilog语言,针对全彩AT070TN84 TFT-LCD,由Nios Ⅱ软核处理器、SDRAM控制器、JTAG UART、LCD控制器、Avalon总线等组成TFT-LCD控制器.以Nios Ⅱ软核处理器为核心,各IP核(如SDRAM控制器、TFT-LCD控制器等)通过Avalon 总线相连接到Nios Ⅱ上,并通过Avalon总线接口模块、DMA模块、FIFO模块和时序产生模块完成了TFT-LCD控制器IP核设计,实现800×480分辨率,16 bit颜色深度的彩色图形显示控制.显示实验运行稳定,图像清晰,色彩丰富,无闪屏、错行等现象,视觉效果良好,设计具有良好的可配置性、复用性和移植性.实践证明该设计行之有效.文中给出了控制器的设计原理、实现方法、仿真与实验过程的同时,重点讲述与控制器IP核相关的各设计环节.
关键词:
Nios Ⅱ
,
SOPC-IP
,
液晶屏控制器
,
直接存储器存取
