董恒平
,
陈坤基
,
李伟
,
孙正凤
,
黄敏
,
段欢
,
曹燕
,
王友凤
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.22.006
利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法在室温下制备出非晶氮氧化硅(a-SiNx Oy)薄膜.通过调节薄膜中的Si/N比例,可使其光致发光峰位在450～600nm的较宽波长范围内连续可调.对比a-SiNx薄膜和a-SiNxOy薄膜的发光特性,发现此薄膜发光来源于由氧引入的新发光缺陷态.由光吸收谱的测量结果可以推断出此发光缺陷态在光吸收边之下约0.65 eV处的禁带中.并且,通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)测量,证实了这种新发光缺陷态与薄膜中存在的O-Si-N键合结构有关.
关键词:
非晶氮氧化硅薄膜
,
可调光致发光
,
缺陷态
张春华
,
郭亨群
,
王国立
,
申继伟
,
徐骏
,
陈坤基
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2009.03.002
采用射频磁控反应溅射技术制备不同Si层厚度的a-Si/a-SiNx超晶格材料.利用红外光谱(IR)、能谱(EDS)、X射线衍射谱(XRD)、吸收谱和光致发光(PL)谱对超晶格材料的成分、结构和发光特性进行研究.结果表明,样品的光学吸收边和PL峰随着Si层的厚度的变化而发生明显偏移,观察到了明显的量子限制效应.在氮气保护下以1000℃对样品进行热退火处理,发现Si层厚的样品退火后发光峰相对于退火前发生了蓝移,这归因于样品中nc-Si颗粒的形成.
关键词:
a-Si/a-SiNx超晶格
,
光致发光
,
量子限制效应
,
射频磁控反应溅射
