陈学枝
,
沈静琴
,
赵松睿
,
许祝安
低温物理学报
doi:10.3969/j.issn.1000-3258.2004.03.003
本文以氢氧化钠(NaOH)为溶剂,用高温溶液电解法成功生长出了α相和γ相的NaxCoO2单晶.通过少量SrCO3的添加,可以人为控制晶体产品的晶体学相.以NaOH为溶剂生长出γ相NaxCoO2晶体,添加SrCO3则生长出α相NaxCoO2晶体.对单晶样品的电阻率的测量发现,α相NaxCoO2的电阻率随温度降低而升高,呈半导体特性,而γ相NaxCoO2的电阻率则随温度降低而降低,呈金属性.α相NaxCoO2的热电势低于同温度下γ相NaxCoO2热电势,在300K时分别为30μV/K和70μV/K左右,但均随温度降低而减小,即热电势的温度关系均表现为金属型行为.
关键词:
晶体生长
,
热电势
,
热电材料
王洪涛
,
郑毅
,
陈学枝
,
许祝安
材料研究学报
doi:10.3321/j.issn:1005-3093.2003.03.005
用气相输运法制备了准一维结构的NbSe3单晶,并研究了其剩余电阻率与杂质的关系.在电子扫描电镜(SEM)下观测了NbSe3单晶的表面形貌,未见亚微米尺寸的缺陷.NbSe3单晶的电阻温度与温度的关系(ρ-T)曲线表明,NbSe3样品分别在Tp1＝145 K和Tp2＝57 K经历两次Peierls相变,剩余电阻比RRR高于200.根据对不同样品的ρ-T曲线的研究指出,以前的文献用剩余电阻比估计杂质浓度ni的方法是一个错误,并提出了改进措施.
关键词:
材料科学基础学科
,
Peierls相变
,
NbSe3单晶
,
剩余电阻比
,
电荷密度波
,
杂质浓度
