常伟
,
范广涵
,
谭春华
,
李述体
,
雷勇
,
黄琨
,
郑品棋
,
陈宇彬
量子电子学报
doi:10.3969/j.issn.1007-5461.2006.06.025
制备了人工欧泊SiO2光子晶体模板并运用有机金属化学气相沉积(MOCVD)技术在SiO2光子晶体模板中生长填充了InP晶体.实验研究了不同成核温度(300℃,350℃,400℃)对于生长填充InP的影响.扫描电镜和反射谱分析结果显示,温度对于InP在SiO2光子晶体模板中的生长有重要影响.随着成核温度的升高,InP在SiO2光子晶体模板中的填充率随之降低.
关键词:
光电子学
,
有机金属化学气相沉积
,
光子晶体
,
人工欧泊
,
温度
