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Al₂O₃掺杂对YSZ固体电解质烧结及电性能的影响

利明 , 何莉萍 , 陈宗璋 , 李素芳 , 向兰翔 , 罗上庚 , 邹长贵 , 梁雪元

研究了用常规共沉淀法掺杂Al₂O₃对YSZ固体电解质的烧结及电性能的影响.结果表明:适量的Al₂O₃能提高YSZ材料的烧结性能,促使其致密化,但过量的Al₂O₃对材料的致密化不利;同时,材料的晶界电导随Al₂O₃含量的增大表现出先增大后减小的变化趋势,这与Al₂O₃对YSZ晶界两方面的不同影响有关,Al₂O₃偏析于晶界一方面能清除晶界上对氧离子电导不利的SiO₂,但另一方面也会降低晶界空间电荷层中的自由氧离子空穴的浓度.

关键词: 氧化锆 , alumina , oxygen ion vacancy , space charge layer

(ZrO2)0.96(Y2O3)0.03(Al2O3)0.01陶瓷的制备及性能研究

周欣燕 , 张振涛 , 沙顺萍 , 赵璐 , 向蓝翔 , 陈宗璋 , 李素芳 , 吴振军

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2007.02.011

采用化学共沉淀法制备(ZrO2)0.96(Y2O3)0.03(Al2O3)0.01的粉末, 在不同的升温速率、不同的烧结时间和不同的烧结温度等烧结工艺下制备出(ZrO2)0.96(Y2O3)0.03(Al2O3)0.01三相体系复合陶瓷. 经研究发现, 在升温速率和降温速率均为5 ℃·min-1 的烧结制度下, 1550 ℃烧结时, 可以得到抗弯强度达998 MPa, 抗热震次数达33次, 相对密度达96%和电性能较好的烧结体.

关键词: 无机非金属材料 , 陶瓷 , 氧化锆 , 掺杂 , 性能

氧化锆传感器Pt电极的保护涂层的制备

李素芳 , 梁雪元 , 陈宗璋 , 刘继进 , 李仲英 , 向蓝翔 , 邵长贵 , 罗上庚

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2002.03.017

研究了用氧化锆超细粉、氧化镁以及其他一些添加剂作为氧化锆Pt电极的涂层物料,通过采用序贯实验法,选取最佳的物料配比,在1000℃下固化烧结,所得到的保护涂层粘结性能较强、透气性能良好.

关键词: 保护涂层 , 制备 , Pt电极 , 氧化锆 , 传感器

化学汽相沉积金刚石薄膜的生长

唐璧玉 , 靳九成 , 靳浩 , 颜永红 , 李绍绿 , 夏金童 , 陈小华 , 陈宗璋

材料研究学报

利用热丝化学汽相沉积法生长出优异的金刚石薄膜.研究表明,金刚石的成核依赖于沉积点的尖锐度,薄膜的生长包括晶粒长大和薄膜上的二次成核及其生长,可用分层生长来描述.金刚石晶粒的生长由外延生长和二次成核及其生长组成,也是分层进行的.结果导致了金刚石晶体和薄膜的层状结构.

关键词: 化学汽相沉积 , null , null , null

车用氧传感器多孔保护层的制备及性能研究

周欣燕 , 向蓝翔 , 张振涛 , 李云 , 陈宗璋 , 赵璐 , 沙顺萍 , 鲁盛会

材料开发与应用 doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2009.03.008

为了延长汽车氧传感器的寿命,通常在氧传感器敏感元件的铂电极表面涂覆多孔陶瓷保护层.本文以尖晶石、氧化铝、氧化锌等为原料,通过控制各组分的配比和烧结工艺参数,制得了性能良好的多孔陶瓷保护层.

关键词: 保护层 , 氧传感器 , 陶瓷 , 性能

Al2O3掺杂8YSZ固体电解质的烧结及性能研究

周欣燕 , 向蓝翔 , 张振涛 , 陈宗璋 , 鲁盛会 , 沙顺萍 , 李云 , 赵璐

材料开发与应用 doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2009.04.009

通过化学共沉淀法制备Al2O3掺杂的8YSZ固体电解质,并对其进行烧结和性能检测.试验结果表明,掺杂Al2O3有利于降低烧结温度,促使烧结体致密化.并且随着Al2O3掺杂量的增大,晶粒的电导逐渐降低.当Al2O3的加入量少于1.5%(w)时,并没有起到晶界电导改善的作用,反而使晶界性能恶化.

关键词: 氧化锆 , 掺杂 , 烧结 , 性能 , 氧化铝

Al2O3掺杂对YSZ固体电解质烧结及电性能的影响

利明 , 何莉萍 , 陈宗璋 , 李素芳 , 向兰翔 , 罗上庚 , 邹长贵 , 梁雪元

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2004.03.041

研究了用常规共沉淀法掺杂Al2O3对YSZ固体电解质的烧结及电性能的影响.结果表明:适量的Al2O3能提高YSZ材料的烧结性能,促使其致密化,但过量的Al2O3对材料的致密化不利;同时,材料的晶界电导随Al2O3含量的增大表现出先增大后减小的变化趋势,这与Al2O3对YSZ晶界两方面的不同影响有关,Al2O3偏析于晶界一方面能清除晶界上对氧离子电导不利的SiO2,但另一方面也会降低晶界空间电荷层中的自由氧离子空穴的浓度.

关键词: 氧化锆 , Al2O3 , 氧离子空穴 , 空间电荷层

铑电镀工艺的研究现状与展望

肖耀坤 , 钟美娥 , 张峰 , 刘振华 , 陈宗璋 , 王旭辉 , 余刚

材料保护 doi:10.3969/j.issn.1001-1560.2005.02.011

对铑电镀工艺的铑盐制备、基材选择、镀液成分、镀覆条件、镀液维护及贵金属铑的回收、镀层性能等方面的研究现状进行了综述,并展望了其今后的发展趋势.

关键词: 电镀 , 铑 , 工艺

电子迁移对钇稳定氧化锆电解质性能的影响

鲁盛会 , 向蓝翔 , 周欣燕 , 陈宗璋 , 李素芳 , 沙顺萍

材料开发与应用 doi:10.3969/j.issn.1003-1545.2009.03.007

本文讨论了在不同测氧分压、温度、相对密度及引入Al2O3下,电子迁移对钇稳定氧化锆电解质性能的影响.结果表明:氧化锆氧浓差电池测量的氧分压越低,电子迁移对池电势的影响越大;电池的工作温度越低,电子迁移数越大,测量误差越大;烧结越致密的电解质其电子迁移数越小;适量的引入Al2O3可以降低电子迁移数,提高测氧准确性.

关键词: 氧化锆 , 电子迁移 , 氧传感器