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热处理对Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O超导材料结构和超导性能的影响

张留琬 , 陈廷国 , 谢晓明 , 吴晓初 , 施天生 , 李香庭 , 高建华 , 孙荆

金属学报

利用原位电阻测量、热重分析、电镜观察和电子探针等多种实验手段研究了Bi_(1.6)Pb_(0.4)Sr_2Ca_2Cu_3O_(10+δ)(下称BPSCCO)超导材料在不同温度(650—800℃)和不同氧分压(氧气、空气和氮气)下热处理过程中结构变化及其对超导电性的影响,实验结果表明,在稍高氧分压下退火,2223相中的Pb ̄(+2)离子将失稳析出体外,生成类Ca_2PbO_4杂相,导致电阻率和重量增加,其调制结构由纯Pb型(q=βb)逐渐变为纯Bi型(q=βb+c),在低氧分压下退火,类Ca_2PbO_4杂相将分解,整个过程基本可逆.此外还发现,适度析出类Ca_2PbO_4杂相,2223母相的超导转变温度将增高,材料的电传输特性亦将得到改善.

关键词: Bi-Pb-Sr-Ca-Cu-O超导材料 , superconductivity , heat-treatment

PZT陶瓷中由氧空位与畴壁相互作用引起的内耗

贺连星 , 李承恩 , 陈廷国 , 王志勇 , 晏海学

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.01.004

采用低频倒置扭摆内耗仪对组分为Pb(Zr0.7Ti0.3)O3(PZT73)和Pb(Zr0.3Ti0.7)O3(PZT37)的两种陶瓷的内耗Q-1及振动频率的平方f2(正比于材料的剪切模量G)与温度的关系进行了测定。在纯三角相的PZT73陶瓷中发现两个内耗峰。高温内耗峰PM起源于材料的顺电-铁电相变,低温内耗峰P1本质上是一个宽化的Debye峰,可归因于氧空位作用下的畴壁振荡弛豫。对纯四方相的PZT37陶瓷,除了P1和PM峰外,在P1与PM峰之间另有内耗峰P2,这与900畴附近的氧空位团簇的弛豫有关,其特征可用描述强关联系统的关联态模型(Couplingmodel)描述。

关键词: 内耗 , PZT陶瓷 , 氧空位 , 畴壁

Fe-Ti-N合金α相区淬火的S-I交互内耗峰

葛庆麟 , 施天生 , 陈廷国 , 陈源 , 吴自良

金属学报

四种不同Ti浓度的Fe-Ti合金,加氮到N/Ti>1之后,发现有两个内耗峰,并且随氮浓度之增加而同时升高。20℃处的峰是氮的Snoek峰,160℃附近的是s-i峰。s-i峰的峰高和Ti浓度成线性关系,表明起峰的反应只涉及孤立的Ti原子,与Ti-Ti原子对或杂质原子团都无关系。 提出了产生s-i峰的二种缺陷中心——Ti-N对缺陷和N-Ti-N仨缺陷——的模型(图7)。氮占Ti位就构成对缺陷,其中的Ti,N原子亲和力很强,只要合金中尚存有自由Ti原子,就不可能存有自由氮原子,因此N/Ti≤1以下,不会出现Snoek峰或s-i峰。N/Ti>1之后,多余氮原子要在对缺陷的OⅡ位和T_3位之间以约1:10的比例进行分配,直到绝大部分的对缺陷转化为仨缺陷。N/Ti(?)2以后,几乎所有的多余氮都进入了仨缺陷的OⅡ位,此时s-i峰的弛豫强度突然增加10倍。 淬火时冻结在α-Fe基体中的过饱和氮、要扩散到OⅡ位(扩散距离~10(?)),以期达到室温下的再分配,因此引起Snoek峰室温下的迅速衰减。s-i峰的形状,只取决于多余氮的浓度,与淬火温度、冷却速度无关。

关键词:

La对Fe-P-N合金Snoek-Ke-K■ster峰的影响

戢景文 , 魏全金 , 张国福 , 赖祖涵 , 陈廷国

金属学报

研究了F? P—N合金加?对Snoek—Ke-Koster(SKK)峰的影响,发现与合金含La,P的原子浓度比(C_(La)/C_p)有关:对于C_(La)/C_p较大(例如4.56和2.6)的合金,La有明显增强SKK阻?效应:对于C_(La)/C_p=0.27的P过饱和合金,La对SKK峰无明显影响。

关键词: 内耗 , Snoek-Ke-Koster peak , Fe-P-La-N alloy

偏铌酸铅陶瓷低频内耗的研究

贺连星 , 李承恩 , 陈廷国 , 刘卫 , 朱震刚 , 水嘉鹏

无机材料学报

用低频倒置扭摆对改性偏铌酸铅铁电陶瓷的内耗进行了研究.在新加工的样品中发现了六个内耗峰,分别位于70℃(P峰)、 90℃(P峰)、200℃(P峰)、260℃(P峰)、430℃(P峰)和510℃(P峰)处.对引起P、P、P和P峰的物理机制进行了详细探讨.分析结果表明,P峰的本质是一定化的 Debye弛豫内耗峰。相应的激活能和指前因子分别为1.014V和 2.4×10-14s.它源于氧空位与畴壁的相互作用. P、 P和 P峰与试样的切割加工密切相关,可归结为点缺陷与位错的交互作用.

关键词: 内耗 , lead metaniobate ceramics , domain walls , oxygen vacancy

偏铌酸铅陶瓷低频内耗的研究

贺连星 , 李承恩 , 陈廷国 , 刘卫 , 朱震刚 , 水嘉鹏

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.05.010

用低频倒置扭摆对改性偏铌酸铅?铁电陶瓷的内耗进行了研究. 在新加工的样品中发现了六个内耗峰,分别位于70C(P1峰)、90C(P2峰)、200C(P3峰)、260C(P4峰)、430C(P5峰)和510C(P6峰)处. 对引起P3、P1、P2和P4峰的物理机制进行了详细探讨. 分析结果表明,P3峰的本质是一宽化的Debye弛豫内耗峰,相应的激活能和指前因子分别为1.01eV和2.410-14s. ?它源于氧空位与畴壁的相互作用. P1、P2和P4峰与试样的切割加工密切相关,可归结为点缺陷与位错的交互作用.

关键词: 内耗 , 偏铌酸铅陶瓷 , 畴壁 , 氧空位

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