陈彩云
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于晓华
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戴丹
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江南
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詹肇麟
,
刘忠
,
刘建雄
材料热处理学报
采用化学气相沉积法,以SiO2/Si为衬底、镍膜为催化层,研究不同催化层厚度对石墨烯生长的影响.选择拉曼光谱,透射电子显微镜等手段对石墨烯的层数和质量进行表征.结果表明,随着Ni膜厚度的增加,石墨烯的缺陷减小,而且层数也减少,当Ni膜厚度为300 nm时,可以在SiOJSi基板上获得高质量的单层石墨烯.
关键词:
石墨烯
,
SiO2/Si
,
镍膜
,
热化学气相沉积
陈彩云
,
戴丹
,
陈国新
,
巩金瑞
,
江南
,
詹肇麟
材料导报
doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2015.03.022
石墨烯自从2004年问世之后,由于独特的结构和优异的性能很快便成为了碳素家族的明星而引起了各界的关注.石墨烯独特的电学性能使其有望替代硅成为下一代半导体工业的主角.然而要实现石墨烯电子器件的构建,必须先解决在绝缘或半导体衬底上直接制备石墨烯的难题.综述了近几年不同绝缘衬底对化学气相沉积法制备石墨烯所产生的影响,分析比较了不同绝缘衬底的优缺点,并展望了石墨烯的发展及应用前景.
关键词:
石墨烯
,
电学性能
,
制备
,
绝缘衬底
