材料期刊网，材料期刊，材料类期刊，材料期刊投稿

从变价金属氧化物n型半导化的内在因素出发,分析了ABO3,型钙钛矿结构的特点,总结归纳结构因素对n型半导化影响的主要规律.综合分析了钙钛矿结构氧化物陶瓷半导化已有的一些较系统的实验研究结果.表明这些结果与本文得到的主要规律能够相互印证.对钙钛矿结构氧化物半导体陶瓷中叶电子导电机制.也作了进一步的阐明.

关键词: 钙钛矿结构 , n型半导化 , 氧空位 , 变价 , 跳跃电导

铝制品无铬酸电化学抛光技术

陈祖秋 , 方炳福 , 胡肆福 , 陈志雄 , 黄瑞花

表面技术 doi:10.3969/j.issn.1001-3660.2002.04.016

采用正交试验法.确定无铬酸电化学抛光液的组分浓度和抛光工艺.其抛光效果优于铬酸电化学抛光.

关键词: 铝制品 , 无铬酸 , 电化学抛光

SrO-Nb₂O₅-TiO₂系压敏陶瓷中Nb⁵⁺和Sr²⁺的研究

周方桥 , 李莉 , 傅刚 , 陈志雄 , 庄严

无机材料学报

用显微观察分析、I-V特性及复阻抗频谱的测量,研究了不同Nb⁵⁺和Sr²⁺掺量的SrO-Nb₂O₅-TiO₂系半导体压敏陶瓷材料的微观结构和相关电学性质;讨论了掺杂Nb⁵⁺和Sr²⁺的分布和作用;Nb⁵⁺固溶在TiO₂中取代Ti⁴⁺并使晶粒成为半导化,同时也有助于晶粒生长;而 Sr²⁺主要分布在晶粒边界处,对表面受主态及材料相关电学性能有重要影响;在大气气氛中热处理后的实验结果表明:处理温度在800℃以上时,能显著提高压敏电压,但只有适当的热处理温度。才能使非线性系数有所改善.

关键词: （Sr , Nb）-TiO₂ ceramic , semiconductor , varistor

Zn2SnO4－LiZnVO4系厚膜湿敏元件的制备和性能研究

傅刚 , 陈环 , 陈志雄 , 张进修

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2001.01.009

采用溶胶凝胶法制备Zn2SnO4－LiZnVO4系陶瓷纳米粉体，用平面丝网印刷工艺在氧化铝基片上制备厚膜湿敏元件。与普通陶瓷粉体制备的元件相比，该元件低湿电阻小，长期稳定性较好。测量不同工作频率时的湿敏特性表明，元件在1kHz频率范围感湿线性最佳。复阻抗分析表明，采用溶胶凝胶法制备纳米粉体并控制烧结温度，可获得良好的微结构，是改善元件感湿特性的原因。

关键词: 溶胶凝胶法 , 厚膜 , 湿敏元件 , 复阻抗分析

SrO-Nb2O5-TiO2系压敏陶瓷中Nb5+和Sr2+的研究

周方桥 , 李莉 , 庄严 , 傅刚 , 陈志雄

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2002.06.015

用显微观察分析、I-V特性及复阻抗频谱的测量,研究了不同Nb5+和Sr2+掺量的SrO-Nb2O5-TiO2系半导体压敏陶瓷材料的微观结构和相关电学性质;讨论了掺杂Nb5+和Sr2+的分布和作用;Nb5+固溶在TiO2中取代Ti4+并使晶粒成为半导化,同时也有助于晶粒生长;而Sr2+主要分布在晶粒边界处,对表面受主态及材料相关电学性能有重要影响;在大气气氛中热处理后的实验结果表明:处理温度在800°C以上时,能显著提高压敏电压,但只有适当的热处理温度,才能使非线性系数有所改善.

关键词: (Sr,Nb)-TiO2陶瓷 , 半导体 , 压敏电阻

低温烧结多层片式ZnO压敏电阻内电极Ag扩散对电性能的影响

钟明峰 , 苏达根 , 庄严 , 陈志雄

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2005.06.017

研究了低温烧结多层片式ZnO压敏电阻的Pd-Ag内电极中Ag扩散对电性能的影响.发现当含Ag量不超过90%时,仍具有较好的电性能;但含Ag量再继续增加,电性能逐渐变差,内电极为纯Ag时,电性能严重恶化.反映晶界势垒电容的电容量随含Ag量的增加而减小.伏安特性和复数阻抗分析表明,随着内电极中含Ag量增加,Ag扩散进入ZnO晶格加剧,降低了施主浓度,导致ZnO晶粒电阻过分增大,而使多层片式ZnO压敏电阻的电性能劣化.

关键词: 多层压敏电阻器 , 低温烧结 , 银扩散 , 晶粒电阻 , 电性能

SnO₂气敏元件灵敏度及选择性的复阻抗分析

傅刚 , 陈志雄 , 张进修

无机材料学报

运用复阻抗谱方法，在不同浓度乙醇与汽油气体中，测试SnO₂厚膜气敏元件的电抗-频率关系曲线，由电抗的变化来标定元件的灵敏度．与以往的测试采用直流电参量标定灵敏度相比，复阻抗测试不仅提高了元件的灵敏度，而且显著改善了选择性．该结果表明复阻抗测试不仅反映元件在气体吸附或解吸时晶粒间界处晶界电阻的变化，也反映了晶界电容的变化，因而更能体现气敏机制的本质．

关键词: SnO₂厚膜 , alcohol sensor , complex impedance , sensitivity , selectivity

SnO₂气敏元件烧结工艺与电性能关系的复阻抗分析

傅刚 , 陈志雄 , 张进修

无机材料学报

采用平面丝网印刷工艺制备ＳｎＯ_２厚膜气敏试样，分别在不同烧结温度和保温时间下于空气中烧成，测量试样的灵敏度和稳定性，并通过复阻抗分析方法，研究ＳｎＯ_２气敏元件烧结工艺和电性能的关系，探讨烧结工艺对敏感材料微结构的影响．结果表明，适当调整烧结工艺参数可以使元件既有较高的气体灵敏度又有良好的长期稳定性；复阻抗分析表明，随保温时间延长，试样的电阻－电抗曲线半圆弧的弥散角逐渐减小至零，说明适当延长保温时间使晶粒间界处的弛豫时间分布趋向一致，晶界处晶粒的接触形态以及开口气孔和缺陷的分布等更趋均一和稳定．

关键词: SnO₂气敏元件 , thick film , calcining temperature , calcining time , complex impedance

SnO2气敏元件灵敏度及选择性的复阻抗分析

傅刚 , 陈志雄 , 张进修

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.03.014

运用复阻抗谱方法, 在不同浓度乙醇与汽油气体中,测试SnO2厚膜气敏元件的电抗-频率关系曲线, 由电抗的变化来标定元件的灵敏度.与以往的测试采用直流电参量标定灵敏度相比, 复阻抗测试不仅提高了元件的灵敏度,而且显著改善了选择性.该结果表明复阻抗测试不仅反映元件在气体吸附或解吸时晶粒间界处晶界电阻的变化,也反映了晶界电容的变化,因而更能体现气敏机制的本质.

关键词: SnO2厚膜 , 复阻抗测试 , 酒敏 , 灵敏度 , 选择性

SnO2气敏元件烧结工艺与电性能关系的复阻抗分析

傅刚 , 陈志雄 , 张进修

无机材料学报 doi:10.3321/j.issn:1000-324X.2000.05.009

采用平面丝网印刷工艺制备SnO2厚膜气敏试样，分别在不同烧结温度和保温时间下于空气中烧成，测量试样的灵敏度和稳定性，并通过复阻抗分析方法，研究SnO2气敏元件烧结工艺和电性能的关系，探讨烧结工艺对敏感材料微结构的影响．结果表明，适当调整烧结工艺参数可以使元件既有较高的气体灵敏度又有良好的长期稳定性；复阻抗分析表明, 随保温时间延长, 试样的电阻--电抗曲线半圆弧的弥散角逐渐减小至零, 说明适当延长保温时间使晶粒间界处的弛豫时间分布趋向一致，晶界处晶粒的接触形态以及开口气孔和缺陷的分布等更趋均一和稳定．

关键词: SnO2气敏元件 , 厚膜 , 烧结温度 , 保温时间 , 复阻抗分析

材料期刊网

钙钛矿结构陶瓷N型半导化评述

铝制品无铬酸电化学抛光技术

SrO-Nb₂O₅-TiO₂系压敏陶瓷中Nb⁵⁺和Sr²⁺的研究

Zn2SnO4－LiZnVO4系厚膜湿敏元件的制备和性能研究

SrO-Nb2O5-TiO2系压敏陶瓷中Nb5+和Sr2+的研究

低温烧结多层片式ZnO压敏电阻内电极Ag扩散对电性能的影响

SnO₂气敏元件灵敏度及选择性的复阻抗分析

SnO₂气敏元件烧结工艺与电性能关系的复阻抗分析

SnO2气敏元件灵敏度及选择性的复阻抗分析

SnO2气敏元件烧结工艺与电性能关系的复阻抗分析

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词