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适用于纳米电子器件的超长硅纳米线合成

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.06.004

采用SiO为起始原料、Ar为载气,蒸发温度1300℃、压力1～2×104Pa的生长条件下,成功地合成了超长的单晶硅纳米线;以SiO和P2O5混合粉末为起始原料时在相同的生长条件下实现了对硅纳米线的掺杂;借助电感耦合等离子体质谱仪(ICPMS)分析了硅纳米线P掺杂效果;利用扫描电镜(SEM)、高分辨透射电镜(HRTEM)、X射线衍射仪(XDR)等检测手段对硅纳米线进行了形貌和结构的表征,测试结果表明在不同的沉积区域硅纳米线具有大致相同的直径,但其长度随着温度的升高而变长,在1180℃的生长区域,硅纳米线的长度达到了150ìm;硅纳米线表面氧化层经HF和NH4F混合溶液处理后被完全剔除.

关键词: 超长硅纳米线 , 热蒸发 , 掺杂

水热法及溶剂热合成法制备Ⅳ族一维无机纳米材料

裴立宅 , 唐元洪 , 郭池 , 陈扬文 , 张勇

稀有金属 doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2005.02.015

一维纳米材料由于具有优异性能成为了近年的研究热点之一, 水热法及溶剂热合成法是近年来发展起来的合成一维纳米材料的有效方法.评述了近年来这两种方法在合成Ⅳ族一维无机纳米材料方面的研究现状与最新进展, 重点介绍了水热法合成碳纳米管和纳米丝以及溶剂热合成法合成硅、锗纳米线等一维无机纳米材料的进展情况.最后比较了这两种方法的优缺点并对其发展作了展望.

关键词: 水热法 , 溶剂热合成法 , Ⅳ族 , 纳米管 , 纳米线

硅纳米管的研究进展

裴立宅 , 唐元洪 , 张勇 , 陈扬文 , 郭池

材料导报

元素硅是sp3杂化,而不是易于形成石墨管状结构的sp2杂化,所以具有这种sp3杂化键的物质难于形成中空一维硅纳米材料,即硅纳米管.综述了硅纳米管及性能的理论研究,同时论述了采用模板法合成硅纳米管的最新实验进展情况,指出了目前硅纳米管的研究中需要解决的一些问题,并展望了发展.

关键词: 硅纳米管 , 研究进展 , 性能 , 模板法

硅纳米线的表征、性能及应用

裴立宅 , 唐元洪 , 陈扬文 , 郭池 , 张勇

功能材料

硅纳米线是近年来发展起来的一种新型的纳米半导体材料.电镜、X射线光电子能谱(XPS)、拉曼光谱、近边X射线吸收精细结构光谱(NEXAFS)、能量色散X射线分析(EDS)等方法是表征硅纳米线的有效手段,由于硅纳米线具有特殊的光致发光、场发射、电子输运等性能,可以实现在纳米传感器等多种纳米电子器件及合成其它纳米材料的模板方面的应用.本文综述了硅纳米线的表征、性能及应用的最新进展.

关键词: 硅纳米线 , 掺杂 , 表征 , 性能 , 应用

一维硅纳米材料的光学特性

裴立宅 , 唐元洪 , 郭池 , 张勇 , 陈扬文

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2006.01.008

硅纳米线与硅纳米管是两种重要的一维硅纳米材料,由于具有量子限制效应等性能在光电子器件方面具有潜在的应用前景.总结了近年来硅纳米线在光学特性方面的研究进展,重点介绍了本征硅纳米线、掺杂硅纳米线及硅纳米线阵列的光致发光光谱(PL)的最新进展情况,同时涉及了硅纳米管在PL发射光谱方面的研究结果.并对其发展作了展望

关键词: 硅纳米线 , 硅纳米管 , 光学特性 , 光致发光特性

掺杂硅纳米线的研究进展

裴立宅 , 唐元洪 , 陈扬文 , 张勇

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2004.04.001

掺杂是制备硅纳米线半导体器件的一个有效手段.介绍了掺杂硅纳米线的最新进展,主要就掺杂种类,包括硼、磷及锂掺杂硅纳米线,性能测量,包括光致发光特性、电子输运特性、场发射特性及其近端 X射线吸收精细结构光谱等及在单电子探测器与计数器、存储元件、纳米线传感器等最新应用研究进展进行了较详细的讨论,最后对掺杂硅纳米线的发展前景作了展望.

关键词: 硅纳米线 , 掺杂 , 性能 , 应用