欢迎登录材料期刊网

材料期刊网

高级检索

  • 论文(6)
  • 图书()
  • 专利()
  • 新闻()

新工艺生长的InGaN量子点的结构与电学性质研究

曲宝壮 , 朱勤生 , 陈振 , 陆大成 , 韩培德 , 刘祥林 , 王晓晖 , 孙学浩 , 李昱峰 , 陆沅 , 黎大兵 , 王占国

功能材料与器件学报 doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2003.01.003

利用金属有机化学气相沉积( MOCVD)技术 , 采用一种称为低温钝化的新生长方法成功地生 长出多层 InGaN/GaN量子点.这种方法是对 GaN表面进行钝化并在低温下生长 ,从而增加表面吸 附原子的迁移势垒.采用原子力显微镜清楚地观察到该方法生长的样品中岛状的量子点.从量子点 样品的 I- V特性曲线观察到了共振隧穿引起的负阻效应,其中的锯齿状峰形归因于零维量子点的 共振隧穿.

关键词: 量子点 , MOCVD , 共振隧穿 , InGaN/GaN

R面、C面蓝宝石上生长的InGaN多层量子点的发光性质研究

李昱峰 , 陈振 , 韩培德 , 王占国

人工晶体学报 doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2002.05.006

采用表面钝化和MOCVD低温生长在蓝宝石(0001)面(即C面)和蓝宝石(1102)面(即R面)上形成了InGaN量子点,并构成了该量子点的多层结构.原子力显微镜测试的结果表明单层InGaN量子点平均宽约40nm,高约15nm;而多层量子点上层的量子点则比单层的InGaN量子点大.R面蓝宝石衬底上生长的InGaN量子点和C面蓝宝石衬底上生长的InGaN量子点相比,其PL谱不仅强度高,而且没有多峰结构.这是由于在C面蓝宝石衬底上生长的InGaN/GaN多层量子点沿生长方向[0001]存在较强的内建电场,而在R面蓝宝石衬底上得到的多层量子点沿着生长方向[1120]没有内建电场.InGaN量子点变温光致发光(PL)谱研究发现量子点相关的峰有快速红移现象,这是量子点系统所特有的PL谱特征.用在R面蓝宝石上生长的InGaN量子点作有源层有望避免内建电场的影响,得到高量子效率且发光波长稳定的发光器件.

关键词: InGaN , 量子点 , MOCVD

溶胶-凝胶法制备ZrB2-SiC复合材料的研究

陈振 , 田贵山 , 魏春成 , 乐磊

硅酸盐通报

采用溶胶-凝胶法制备ZrB<,2>-SiC复合材料,主要分析pH值、分散剂、固相含量、有机单体含量对ZrB<,2>-SiC浆料粘度的影响.实验结果表明,当pH值为10.3,分散剂含量为0.92 wt%,有机单体含量为3.2 wt%时,就可以制得固相含量为45 vol%,粘度为608 mPa·s的ZrB<,2>-SiC浆料.

关键词: 二硼化锆 , 碳化硅 , 溶胶凝胶 , 流变性 , 粘度

沉积时间对ZrTiN涂层微观结构及性能的影响

颜培 , 邓建新 , 连云崧 , 赵军 , 陈振

材料工程 doi:10.3969/j.issn.1001-4381.2012.05.007

采用多弧离子镀膜法,在YT15及YG8硬质合金基体上沉积ZrTiN硬质涂层,并分析涂层微观形貌、物相组成、涂层的厚度、硬度及结合力等性能参数随沉积时间的变化.结果表明:沉积时间不会影响ZrTiN涂层的晶面指数,涂层中只有单一面心立方结构相形成,且晶面指数始终为(111);涂层的晶粒尺寸约为10nm且随沉积时间变化不大.沉积时间为120min时,涂层的显微硬度和结合力明显下降.

关键词: ZrTiN涂层 , 多弧离子镀 , 沉积时间 , 微观结构 , 性能

自蔓延法制备ATO纳米导电粉体

乐磊 , 田贵山 , 魏春城 , 陈振

硅酸盐通报

采用溶胶-凝胶自蔓延燃烧法,制备了ATO导电粉体.利用TG-DTA对干凝胶的自蔓延燃烧过程进行分析,用XRD和SEM对制备的粉体进行了表征,研究了不同煅烧温度对粉体电阻率的影响.结果表明:干凝胶在282℃达到失重终点,失重率为79.9%.煅烧后的粉体颗粒比较均匀,导电性较好.当煅烧温度为600℃时,导电粉具有最佳导电性.

关键词: 自蔓延燃烧 , ATO , 电阻率

针刺C/C-SiC复合材料剪切非线性本构关系

谢军波 , 方国东 , 陈振 , 梁军

复合材料学报 doi:10.13801/j.cnki.fhclxb.20151123.002

为研究针刺C/C-SiC复合材料的剪切损伤行为,首先,进行了面内剪切加卸载实验,并利用 SEM对复合材料的剪切破坏形貌进行了观测;然后,建立了一种塑性与损伤相结合的非线性本构模型描述复合材料的非线性力学行为,以幂函数描述等效塑性应变与等效应力的关系;最后,基于剪切强度的Weibull分布规律提出了一种指数型损伤变量表征剪切刚度的退化,并通过实验数据拟合得到模型中的参数。结果表明:复合材料在卸载后存在明显的残余应变,卸载模量随载荷的增加不断降低,表现出明显的剪切非线性特征;大量无纬布纤维束和纤维单丝拔出,且易在针刺部位发生破坏;由于针刺部位等缺陷的不规律分布,剪切强度存在一定的分散性,符合指数型 Weibull统计分布规律;复合材料的剪切非线性主要由基体开裂和纤维/基体界面脱粘等内部损伤引起,从宏观上可以解释为塑性变形和刚度性能折减。所得结论表明本构模型能够很好地表征 C/C-SiC 复合材料的面内剪切非线性行为。

关键词: 针刺 , C/C-SiC复合材料 , 剪切 , 塑性 , 损伤 , 本构模型

出版年份

刊物分类

相关作者

相关热词