谢自力
,
张荣
,
修向前
,
毕朝霞
,
刘斌
,
濮林
,
陈敦军
,
韩平
,
顾书林
,
江若琏
,
朱顺明
,
赵红
,
施毅
,
郑有炓
人工晶体学报
doi:10.3969/j.issn.1000-985X.2005.06.014
利用低压金属有机化学气相淀积(LP-MOCVD)系统,在(0001)蓝宝石衬底上采用预淀积In纳米点技术低温合成制备了立方相的InN薄膜.首先以TMIn作源在蓝宝石衬底表面预淀积了一层金属In纳米点,然后在一定条件下合成生长InN薄膜.X射线衍射谱(XRD)和X射线光电子发射谱(XPS)显示适当的预淀积In不仅能够促进InN的生长,同时还能够抑制金属In在InN薄膜中的聚集.原子力显微镜(AFM)观察表明,金属In纳米点不仅增强了成核密度,而且促进了InN岛的兼并.自由能计算表明预淀积的In优先和NH3分解得到的NH与N基反应生成InN.我们认为这种优先生成的InN为接下来InN的生长提供了成核位,从而促进了InN的生长.
关键词:
InN
,
预淀积In纳米点
,
MOCVD
陈国强
,
陈敦军
,
刘斌
,
谢自力
,
韩平
,
张荣
,
郑有炓
功能材料与器件学报
doi:10.3969/j.issn.1007-4252.2008.06.016
主要研究了A1N钝化介质层对AlGaN/GaN异质结势垒层应力的修改以及应力的变化对二维电子气高温输运性质的影响.研究结果表明:AlN介质层会对AlGaN势垒层产生附加的平面压应变;AlN和传统的si3N4钝化介质都能减轻AlGaN势垒层在高温下的应变弛豫,但AlN介质层效果更明显.和传统的Si,N4钝化介质相比较,AlN钝化层不仅会显著增加AlGaN/GaN异质结二维电子气密度度,还会明显提高二维电子气迁移率,同时,AlN钝化后二维电子气密度的温度稳定性也更好.因此,对AlGaN/GaN异质结器件来说,AIN是一种有潜力的钝化介质.
关键词:
AlGaN/GaN异质结
,
钝化介质
,
表面态
,
二维电子气
陈敦军
,
向毅斌
,
吴诗
,
李淼泉
金属学报
研究了激光能量密度、路径曲率和扫描次数对TC4(Ti-6A1-4V)板料弯曲变形的影响规律.同时,分析了热辐射对板料显微组织和表面硬度的影响.结果表明:(1)存在一个最优的能量密度值使板料一次弯曲所获得的弯曲角度达到峰值;(2)随路径曲率的增加,弯曲角度减小;(3)第一次扫描以后的扫描次数与弯曲角度呈准线性关系;(4)合适的工艺参数不会导致材料显微组织变化,且激光热辐射对材料表面有淬火效应,使加热区材料表面硬度均有所提高.
关键词:
激光曲线弯曲
,
null
,
null
,
null
郑泽伟
,
沈波
,
陈敦军
,
郑有炓
,
郭少令
,
褚君浩
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.011
通过低温强磁场下的磁输运实验,研究了AlxGa1-xN/GaN调制掺杂异质结构二维电子气(2DEG)的能带分裂性质.1.4 K温度下测量的磁阻曲线当磁场强度大于5.4 T时观察到的明显对应于第一子带的自旋分裂现象.用Dingle作图法得到本样品τq的大小为0.17 ps.结果表明,本实验所用的调制掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结构具有较大的有效g因子g*.用高2DEG浓度导致的交换相互作用加强解释了g*增强效应.在磁阻测量中改变磁场方向,自旋分裂现象表现出各向异性.用异质结构界面处强的极化电场解释了自旋分裂的各向异性.
关键词:
调制掺杂
,
AlxGa1-xN/GaN
,
异质结构
,
二维电子气
,
迁移率
,
有效g因子
符凯
,
张禹
,
陈敦军
,
韩平
,
谢自力
,
张荣
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2008.01.006
根据现有氮化镓(GaN)金属有机物化学气相淀积(Metalorganic Chemical Vapor Deposotion)生长动力学理论,结合具体的MOCVD反应腔体的构造,用计算流体力学和动力学蒙特卡罗方法对GaN MOcvD生长过程中的生长速率和表面形貌演变进行了计算机模拟.结果表明,在950～1350 K的温度范围内反应气体充分热分解,是适合GaN外延生长的温度区间;温度低于950 K,反应气体未能充分地分解,导致较低的生长速率;而温度高于1350 K则Ga组分的脱附现象开始变得严重,从而抑制GaN的生长速率.另一方面,较高的v/Ⅲ也会抑制GaN的生长速率.生长过程中表面形貌随时间的演变结果显示,GsN薄膜在高温下(1073～1473 K)为2D层状生长,在1373 K的温度下生长的GaN薄膜表面最为平整.
关键词:
氮化镓
,
计算流体力学
,
蒙特卡洛
,
计算机模拟
陈敦军
,
吴诗惇
,
向毅斌
,
李淼泉
兵器材料科学与工程
doi:10.3969/j.issn.1004-244X.2000.06.012
板料激光成形是通过局部瞬态加热产生不均匀的内部热应力,而导致板料变形的一种无模成形技术.本文阐述了激光成形的四种主要的变形机制-温度梯度机制,弹性膨胀机制,塑性皱曲机制和增厚机制,并介绍了激光成形技术在国内外的发展状况及其应用领域.
关键词:
板料
,
激光成形
,
变形机制
,
温度梯度
周慧梅
,
沈波
,
陈敦军
,
陈堂胜
,
焦刚
,
郑有炓
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.010
研究并对比了Ti/Al/Ni/Au和Ti/Al/Pt/Au多层金属膜与未掺杂的Al0.22Ga0.78N/GaN(i-AlGaN/GaN) 异质结构之间的欧姆接触性质.在退火温度低于700 ℃时,两种接触样品上都不能得到欧姆接触.随着退火温度的升高,850 ℃快速退火后,在Ti/Al/Ni/Au 接触上获得了1.26×10-6 Ω*cm2的比接触电阻率,在Ti/Al/Pt/Au接触上获得了1.97×10-5 Ω*cm2的比接触电阻率.研究结果表明,金属与半导体接触界面和Al0.22Ga0.78N异质结构界面载流子沟道之间适当的势垒的存在对高质量欧姆接触的形成起重要作用,势垒的宽度取决于退火温度以及退火的具体进程.对Ti/Al/Ni/Au和Ti/Al/Pt/Au欧姆接触比接触电阻率的差异进行了解释.
关键词:
Ⅲ族氮化物
,
欧姆接触
,
异质结构
,
势垒
唐宁
,
沈波
,
陈敦军
,
桂永胜
,
仇志军
,
郑有炓
稀有金属
doi:10.3969/j.issn.0258-7076.2004.03.008
通过在低温和强磁场下的磁输运测量研究了非故意掺杂Al0.22Ga0.78N/GaN异质结二维电子气(2DEG)的磁电阻振荡现象.观察到了磁致子带间散射(MIS)效应.在极低温下观察到了表征两个子带被2DEG占据的双周期舒勃尼科夫-德哈斯(SdH)振荡.实验观察到MIS效应引起的磁电阻振荡的幅度随温度上升略有减小,振荡的频率为两个子带SdH振荡频率之差.随着温度的升高,MIS振荡成为主要的振荡.由于SdH振荡和MIS振荡对温度的依赖关系不同,实验观察到SdH和MIS振荡之间的调制在温度10和17 K之间最为强烈,其它温度下的调制很弱.
关键词:
AlxGa1-xN/GaN异质结构
,
二维电子气
,
磁致子带间散射
陈敦军
,
向毅斌
,
吴诗
,
李淼泉
金属学报
doi:10.3321/j.issn:0412-1961.2001.06.016
研究了激光能量密度、路径曲率和扫描次数对TC4(Ti-6A1-4V)板料弯曲变形的影响规律.同时,分析了热辐射对板料显微组织和表面硬度的影响.结果表明:(1)存在一个最优的能量密度值使板料一次弯曲所获得的弯曲角度达到峰值;(2)随路径曲率的增加,弯曲角度减小;(3)第一次扫描以后的扫描次数与弯曲角度呈准线性关系;(4)合适的工艺参数不会导致材料显微组织变化,且激光热辐射对材料表面有淬火效应,使加热区材料表面硬度均有所提高
关键词:
激光曲线弯曲
,
钛合金板
,
热辐射
,
显微组织
