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金属玻璃脱合金制备高催化活性的Pd基多元纳米多孔金属

曾宇乔 , 董小真 , 杨春雷 , 陈庐阳 , 陈明伟 , 井上明久 , 张旭海 , 蒋建清

稀有金属材料与工程

为获得具有高催化活性的多元掺杂纳米多孔Pd,将Pd20Ni60P20金属玻璃作为预合金,在H2SO4+H3PO4混合酸溶液中以不同过电位进行电化学脱合金处理,制得Ni和P共掺的Pd基多元纳米多孔金属.该多孔金属的成分和孔径均可通过过电位进行调节.与市售碳负载的纳米Pd催化剂相比,临界电位下脱合金获得的Pd基纳米多孔金属在对甲酸的催化中表现出了更高的催化活性.

关键词: 金属玻璃 , 纳米多孔金属 , 脱合金

前驱体热解氮化硼/碳化硅复相泡沫陶瓷的抗氧化与高温隔热性能研究

沈志洵 , 戈敏 , 陈明伟 , 钱扬保 , 张伟刚

无机材料学报 doi:10.3724/SP.J.1077.2012.12076

以聚碳硅烷(PCS)和三甲胺基环硼氮烷聚合前驱体(PBN)进行共聚合制得复合前驱体, 以此为原料采用高压裂解发泡技术制备了一种氮化硼/碳化硅(BN/SiC)复相开孔泡沫陶瓷. 由包含不同比例组分的起始前驱体所制得的泡沫陶瓷的孔隙直径在1~5 mm, 体积密度在0.44~0.73 g/cm3之间. 对该陶瓷材料的微观结构和性能的研究表明, 由于BN相的引入使得BN/SiC复相泡沫陶瓷在800~1100℃的抗氧化性能有了显著的提高; 其压缩强度随着引入BN比例的增加而提高, 约为纯SiC泡沫陶瓷的5~10倍. 其中以组分重量比为1:1的起始复合前驱体所制备BN/SiC复相多孔陶瓷在1500℃时的导热系数仅为4.0 W/(m·K); 对其进行隔热性能测试, 材料热面中心温度为1400℃时, 其背面中心温度仅为280℃; 采用有限差分法数值模拟背部升温历程, 将其有效导热系数代入计算模型, 得到材料背部中心温度升温历程的数值模拟结果, 与实际升温历程基本一致.

关键词: 碳化硅; 氮化硼; 泡沫陶瓷; 隔热性能

Fe_3Al基合金高温变形过程中原位再结晶现象

陈明伟 , 单爱党 , 林栋梁 , 梁伟

金属学报

TEM及金相分析发现Fe3Al在高温变形过程中伴生原位再结晶(InSituRecrystallization,ISR).Fe3Al合金良好的高温塑性与ISR有密切的关系.形变产生的晶格位错通过攀移或交滑移形成位错墙,在进一步的变形中,位错墙通过吸收晶内滑移位错增大两侧晶体的位向差,并逐渐向亚晶界和大角晶界演化.

关键词: 金属间化合物 , Fe_3Al , in situ recrystallization

压力诱导硅多形性相转变--谨以此文恭贺侯增寿教授八十华诞

陈明伟

材料热处理学报 doi:10.3969/j.issn.1009-6264.2005.03.002

研究载荷水平,加/卸载速率以及硼掺杂对硅多形性相转变的影响,并粗略勾画出压力诱导硅相转变图.高掺杂明显增加了非晶硅的形成范围.表明掺杂降低了晶体硅的相稳定性.初步的相变动力学分析表明,室温下这类多形性相转变很可能是通过无成分变化的相界面原子重组实现的,而不是长程或跨越一两个原子层的短程扩散.

关键词: 纳米硬度实验 , , 相变 , 微区拉曼

纳米铜导电墨水的制备及研究

陈明伟 , 吕春雷 , 印仁和 , 王卫江 , 郁祖湛

材料导报

以次磷酸钠为还原剂、硫酸铜为前驱体,并添加Lomar D、PVP等表面活性剂及分散剂,在一缩二乙二醇(DEG)有机液相溶液中采用化学还原法成功地制备了在室温下能稳定60天的纳米铜导电墨水,通过电渗析除去墨水中的杂质离子,再采用减压蒸馏的方法可使纳米铜在墨水中的质量分数达到5%~30%,其中电渗析的除杂效率在99%以上.以XRD、TEM、EDX、ICP、HORIBALB550粒度分布仪对墨水进行表征,结果显示,墨水中纳米铜的粒径为15~40nm,分布较窄.设计正交试验分析了影响墨水中铜晶粒大小的一些因素发现,还原剂与前驱体的物质的量比、反应温度、pH值以及分散剂与表面活性剂的物质的量比等都对铜晶粒的生长有很大影响.

关键词: 导电墨水 , 纳米铜 , 电渗析 , 减压蒸馏 , 表面活性剂

ZrC/SiC多组元改性C/C复合材料的制备及性能研究

李秀倩 , 焦健 , 邱海鹏 , 王宇 , 陈明伟 , 谢巍杰

航空材料学报 doi:10.11868/j.issn.1005-5053.2014.3.011

以炭毡作为纤维增强体,采用化学气相渗透工艺研制出低密度的C/C复合材料,进而以低密度炭/炭复合材料为预制体,采用聚碳硅烷和有机锆前驱体作为复相陶瓷前驱体,采用先驱体浸渍裂解工艺成功制备出ZrC/SiC多组元改性C/C复合材料试样.借助万能电子试验机和扫描电镜进行材料的力学性能和微观结构分析.结果表明:包含ZrC颗粒的SiC相双组元弥散分布在C/C复合材料基体中,且随着前驱体中有机锆含量的增加,力学性能出现先升后降的趋势,当有机锆前驱体质量分数为25%时,改性C/C复合材料弯曲强度和弯曲模量较优,分别为240.61MPa和17.25GPa.

关键词: 化学气相渗透 , 浸渍裂解 , ZrC/SiC多组元改性 , 三点弯曲强度 , 微观结构分析

三氯环硼氮烷改性聚碳硅烷的合成及陶瓷转化

戈敏 , 沈志洵 , 陈明伟 , 张伟刚

材料科学与工艺

为研究三氯环硼氮烷(TCB)对聚碳硅烷(PCS)性能及陶瓷转化的影响,将一定量的TCB加入PCS中制备TCB改性PCS聚合物,分析了TCB与PCS的反应性及TCB用量对改性PCS结构、陶瓷收率、可加工性和SiC产物微结构的影响,并采用红外光谱、热重、X射线衍射等测试技术对相应产物进行表征.结果表明,PCS中的Si-H键可部分地与TCB中的-Cl反应生成HCl;随着TCB质量分数的增加,PCS中Si-H键相对于Si-CH3的浓度比呈下降趋势.TCB的加入可显著提高PCS的陶瓷收率,TCB质量分数大于8%时,陶瓷收率质量分数约增加10%.TCB质量分数为5%~8%时,可在提高PCS收率的同时使其保持较好的可加工性能,TCB质量分数大于8%时,可加工性能变差.B、N的引入对SiC的微结构有影响:在氩气保护下,经1000 ℃热处理时,TCB的加入促进SiC晶粒的生长;经1400 ℃热处理时,TCB的加入抑制SiC晶粒的长大.

关键词: 三氯环硼氮烷 , 聚碳硅烷 , 陶瓷收率 , 可加工性 , 微结构

金属纳米微粒导电墨水的研究进展

周荣明 , 陈明伟 , 印仁和 , 郁祖湛

电镀与精饰 doi:10.3969/j.issn.1001-3849.2009.03.005

在电子工业中,平版印制技术在印制电路板制造中被广泛采用,传统制造方法其加工过程至少需要六道工序,在刻蚀过程中大量的金属原材料被丢弃,对板材的腐蚀使其选材受到限制.而以喷墨印制技术为核心的全印制电子技术只要打印和固化两道工序即可,非常简便.对要求不高的电子产品,如电子标签,一般不需要后续化学镀和电镀.对导电线路要求高的,需用化学镀来增厚光滑线路表观和改善线路导电性能.如要求线路厚度高于12 μm以上,则需电镀增厚.该工艺所用导电墨水,在表面处理技术中也有着广泛用途.

关键词: 导电墨水 , 印制电路板 , 全印制电子产品

陶瓷防隔热瓦表面难熔金属硅化物涂层的研究进展

邵高峰 , 沈晓冬 , 崔升 , 王岭 , 陈明伟

材料导报 doi:10.11896/j.issn.1005-023X.2014.21.026

金属硅化物因具有高熔点、高辐射及高温抗氧化性而成为高超声速飞行器陶瓷防隔热瓦表面涂层最具潜力的材料.综述了难熔金属硅化物作为大面积区域采用的陶瓷隔热瓦表面高发射率涂层材料和高温区采用的陶瓷防热瓦表面抗氧化涂层材料的研究现状,介绍了涂层制备方法的优缺点,提出了陶瓷复合材料表面涂层当前研究中存在的问题及潜在的发展方向.

关键词: 难熔金属硅化物 , 高发射率 , 抗氧化 , 涂层 , 制备方法

CVIˉPIP工艺制备炭纤维增强炭/陶复合材料及其性能

邱海鹏 , 陈明伟 , 李秀倩 , 王宇 , 谢巍杰

新型炭材料

结合化学气相渗透( CVI)和聚合物先驱体浸渍裂解( PIP)工艺制备出炭纤维增强碳基( C/C)、炭纤维增强碳ˉ碳化硅基( C/CˉSiC)和炭纤维增强碳ˉ硅ˉ锆ˉ氧( C/CˉSiˉZrˉO)复合材料,并对其微观形貌、物相结构、力学性能和导热性能进行测试和表征。结果表明,C/CˉSiˉZrˉO复合材料在外部载荷作用下,纤维脱黏和纤维拔出等应力释放效应显著,弯曲强度优于C/C和C/CˉSiC复合材料;此外,C/C复合材料基体热解炭的导热系数较高,复合材料孔隙率小,结构缺陷较少,声子的平均自由程较长,因此具有较高的导热系数(水平方向69.09 W/(m·K),垂直方向25.28 W/(m·K))。

关键词: 复合材料 , 导热系数 , 应力释放

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